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J-GLOBAL ID：201702273631772582   整理番号：17A0551306

多機能応用のための一次元Si/Geナノワイヤとそれらのヘテロ構造 レビュー

One-dimensional Si/Ge nanowires and their heterostructures for multifunctional applications-a review

著者 (3件)： RAY Samit K (Indian Inst. of Technol., West Bengal, IND) ,  KATIYAR Ajit K (Indian Inst. of Technol., West Bengal, IND) ,  RAYCHAUDHURI Arup K (S.N.Bose National Centre for Basic Sci., Kolkata, IND)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 9  ページ： 092001,1-40  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去20年間にわたり多機能応用のための半導体ナノ構造は積極的に研究されてきた。エレクトロニックとフォトニック素子のための一次元半導体ナノ構造の分野では顕著な進展がみられ,IV族半導体とそれらのヘテロ構造はマイクロエレクトロニクス産業における大きな成果をもたらした。しかし,フォトニック素子におけるそれらの利用はSiとGeの間接バンドギャップ性によるそれらの不十分な光学活性のために制限されている。それらの大きさを励起子Bohr半径,フォノン平均自由行程,磁区の臨界サイズ,励起子拡散長のような種々の基礎パラメータの特性長スケール以下にすることにより,バルク性質の有意な改良が期待されている。種々の形態の非拘束次元によるエネルギーとキャリア移動の制御はSiとGeナノワイヤを先端固体素子製造のための有望なプラットフォームにする。本レビューでは,Si/Geナノワイヤとそれらのヘテロ構造のエレクトロニック,フォトニック,センシングおよびエネルギー素子の,特に,量子閉込め,歪誘導バンド構造改変および不純物ドーピングによるSi/Geナノワイヤからの発光に焦点をあててそれらの潜在的な応用研究の進展を提出した。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *光学活性 ,  マイクロエレクトロニクス ,  励起子 ,  フォノン ,  平均自由行程 ,  磁区 ,  拡散距離 ,  エネルギー移動 ,  固体素子 ,  量子閉込め ,  歪 ,  バンド構造 ,  ドーピング
準シソーラス用語： Bohr半径 ,  エレクトロニックデバイス ,  キャリア移動 ,  フォトニック素子 ,  間接バンドギャップ ,  長さスケール

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多機能 ,  応用 ,  Si ,  Ge ,  ナノワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  レビュー