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J-GLOBAL ID：201702273649643929   整理番号：17A1350584

IC基板製造のための銅電気めっきにおける革新的進歩【Powered by NICT】

Innovative Advances in Copper Electroplating for IC Substrate Manufacturing

著者 (9件)： Ganesan Kousik ,  Sun Yang ,  Pendyala Chandrasekhar ,  Chalupa Radek ,  Nad Suddhastawa ,  Heaton Thomas ,  Wall Marcel ,  Manepalli Rahul ,  Tasooji Amaneh
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTC  ページ： 1369-1377  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微細線空間(FLS)特徴とブラインドマイクロビア(BMV)を作成するために銅の低コスト電気めっきは集積回路パッケージ用高密度基板の重要な技術要素である。ボイド捕捉無しブラインドマイクロビアを充填超もが高密度パッケージの全表面にわたって一様な銅金属析出物を与えるため極めて重要である必要がある。本論文では,微細な微量とパッド特徴にマイクロビアの超充填と均一な銅堆積の両方を示すために新しい逆パルスめっきプロセスの結果を報告した。試験片は,基礎をなす誘電体薄膜におけるレーザドリルマイクロビアの微細パターン化領域と同様にギャップ充填能力のめっき均一性を評価するために設計し,作製した。膜スタックは,底層とその後の上部金属層上の60μm以上の開環を経由する25μmの開口とBMV特徴寸法により定義した。形状を介してこれら異なるアスペクト比によるスタック層に依存して0.5~1.0どこでも変化した。研究への初期は,貧弱な電気的性質と収率性能を引き起こす領域を介して充填したギャップ内に閉じ込められたボイドを含む重要なプロセス挑戦した。そのような挑戦はボイドフリーボトムアップ充填を達成するための新しい逆パルスめっき波形を導入して克服した。拡散律速領域の下での限界を確認して対処した。大きな逆パルス電流の導入は,「スキー斜面」と高度に不均一なめっき厚さに沿ってめっき銅リフトトレースへの貧弱な冶金学的適合性をもたらした。最適逆パルス波形の同定をバランスの取れたアプローチは,微細パターン化した表面における自由ギャップ充填と均一な堆積を空にするために導いた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 析出物 ,  電気的性質 ,  誘電体薄膜 ,  集積回路 ,  めっき厚 ,  パッド ,  *銅 ,  パターン形成 ,  適応性 ,  *電気めっき ,  *めっき ,  アスペクト比
準シソーラス用語： パルスめっき ,  マイクロビア ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (3件)： IC ,  銅 ,  電気めっき