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J-GLOBAL ID：201702274079275183   整理番号：17A1753710

窒化インジウム薄膜のp型ドーピングと強磁性研究の進展【JST・京大機械翻訳】

Development of InN Film on p-Type Doping and Ferromagnetism

著者 (5件)： Li Yunyi (南京郵電大学電子科学与工程学院,南京,210023) ,  Wang Wei (南京郵電大学電子科学与工程学院,南京,210023) ,  Liu Zhijun (南京郵電大学電子科学与工程学院,南京,210023) ,  Gong Wei (南京郵電大学電子科学与工程学院,南京,210023) ,  Jie Qiyun (南京郵電大学電子科学与工程学院,南京,210023)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 31  号： 7  ページ： 54-58,64  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： III族窒化物半導体材料(InN、GaN、AlN)はバンド構造の特殊性があるため、光電デバイスとマイクロ波などの分野で広く応用されている。その中で、InN材料及びデバイスの研究と発展は、光電情報技術領域の戦略から高い点までの重要なルートであり、InN材料のp型導電及び室温強磁性の研究は更にIII族窒化物における新しい研究課題となっている。最初に、InNの結晶構造と調製法を簡単に紹介し、現在の挑戦について分析し、そして、国際的にInNのp型ドーピング及び強磁性領域における研究進展について重点的に述べ、同時に本課題の研究を紹介し、最後に簡単な総括と展望を行った。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *薄膜 ,  マイクロ波 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  情報技術 ,  結晶構造 ,  窒化物 ,  バンド構造 ,  *強磁性
準シソーラス用語： 室温強磁性 ,  光電気 ,  特異性 ,  窒化物半導体 ,  *p型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： indium nitride ,  p-type doping ,  ferromagnetism ,  film preparation

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化インジウム ,  薄膜 ,  p型ドーピング ,  強磁性 ,  研究 ,  進展