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J-GLOBAL ID：201702274219736810   整理番号：17A1596786

弱磁場AMR薄膜磁気センサの最適化解析と試験【JST・京大機械翻訳】

Optimization Analysis and Test on AMR Thin Film Sensor in Weak Magnetic Field

著者 (4件)： Fan Zhiqiong (中北大学,電子測試技術重点実験室,山西太原 030051) ,  Zhang Xiaoming (中北大学,電子測試技術重点実験室,山西太原 030051;中北大学,儀器科学与動態測試教育部重点実験室,山西太原 030051) ,  Lv Yiling (中北大学,電子測試技術重点実験室,山西太原 030051) ,  Bi Yu (中北大学,電子測試技術重点実験室,山西太原 030051)
資料名： Yibiao Jishu yu Chuanganqi  (Yibiao Jishu yu Chuanganqi)
号： 5  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2449A  ISSN： 1002-1841  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,弱磁場測定に対する小型AMRセンサの感度と線形性の低さの問題を解決するために,マイクロ磁気センサの磁気抵抗の形状を解析し,ANSYSソフトウェアを用いて磁気センサを設計し,実験により検証した。シミュレーション結果は,以下を示した。設計したマイクロAMR薄膜センサーは良好な線形性と感度を有し、弱磁場の測定精度を高めることができる。電極構造を変化させるために,Barberバイアス電極を用いて,AMRセンサの線形性は,45°のオフセット角で最適であることが分かった。磁気抵抗を2つの端部モデルによって設計し,それにより,薄膜の表面の長さ方向の磁気異方性を増強し,センサの感度を向上させた。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気センサ ,  バイアス ,  磁気抵抗 ,  *最適化 ,  オフセット ,  *弱磁場 ,  測定精度 ,  *センサ ,  磁気異方性 ,  *薄膜 ,  線形性 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 電極構造 ,  薄膜センサ ,  ANSYS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ANSYS simulation ,  Barber?Pole ,  linearity ,  sensitivity

分類 (1件)： 磁気の計測法・機器  (AD07060U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 弱磁場 ,  磁気センサ ,  最適化 ,  解析 ,  試験