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J-GLOBAL ID：201702274257396161   整理番号：17A0571708

CdZnTe結晶における深い準位の欠陥と高い抵抗率特性間の関係

The relationship between deep-level defects and high resistivity characteristic in CdZnTe crystals

著者 (3件)： WANG Peng-Fei (Xi’an Technological Univ., Xi’an, CHN) ,  NAN Rui-Hua (Xi’an Technological Univ., Xi’an, CHN) ,  JIAN Zeng-Yun (Xi’an Technological Univ., Xi’an, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 7  ページ： 5568-5573  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化カドミウム亜鉛Cd_1-xZn_xTe単結晶は,核放射線の検出器として有望である。ここでは,修正垂直Bridgeman(MVB)法で成長させたCd_0.9Zn_0.1Te:In結晶の深い準位の欠陥を,熱刺激電流(TSC)分光法と熱電効果分光法(TEES)で特定した。また,活性化エネルギー,捕獲断面積,トラップ密度などトラップに関連するパラメーターを,同時多重ピーク分析(SIMPA)法とArrheniusフィッティングで特性評価した。Fermiレベルのエネルギー値を温度依存性の電流-電圧(I-V)測定により,また抵抗を室温におけるI-V測定から得た。暗電流を支配する深いドナーレベルE_ddと,その起源を特定した。Cd_0.9Zn_0.1Te:In結晶の高い抵抗は,E_ddの中央ギャップの近くにピン止めされているFermiレベルのためである。

シソーラス用語： *深い準位 ,  *電気抵抗率 ,  *カドミウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *テルル化物 ,  *内部欠陥 ,  Bridgman法 ,  再結合中心 ,  捕獲中心 ,  単結晶 ,  *熱刺激電流 ,  *熱電効果 ,  *スペクトロスコピー ,  活性化エネルギー ,  断面積 ,  Arrheniusの式 ,  *不純物準位 ,  *暗電流 ,  伝導バンド ,  Fermi準位 ,  *電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  X線検出器 ,  γ線検出器 ,  室温 ,  比率 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： MVB ,  捕獲断面積 ,  ドナー準位 ,  加熱比率

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdZnTe ,  結晶 ,  深い準位 ,  欠陥 ,  抵抗率