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J-GLOBAL ID：201702274261014547   整理番号：17A1640304

第一原理計算によるborophaneのバンド構造工学【Powered by NICT】

Band structure engineering of borophane by first principles calculations

著者 (5件)： Wang Zhi-Qiang (Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen 361005, China. [e-mail]) ,  Lue Tie-Yu ,  Wang Hui-Qiong ,  Feng Yuan Ping ,  Zheng Jin-Cheng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 75  ページ： 47746-47752  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算により,文献で完全に水素化したboropheneの最も安定な配座異性体,W borophaneにおけるバンド構造工学を利用した。a及びb方向二軸歪,せん断歪,H空格子点とB-H二量体空格子点欠陥に沿った単軸歪を考慮した。著者らの結果は,a,b方向と二軸歪に沿った一軸歪はW borophaneのバンドギャップを開くことができないことを示した。しかし,バンドギャップの開きはせん断歪を適用することによって達成することができた。加えられたせん断ひずみはたったの0.01%であるとき,せん断歪に誘起されたバンドギャップは53meVであった。バンドギャップは増加するせん断歪と共に増加した。剪断歪が0.12に近づくと,バンドギャップは538meVまでに達することができた。二つの異なる交換-相関ポテンシャルはバンドギャップの開きを確認するために使用した。せん断歪みの下でW borophaneの優れた動的安定性をフォノン分散によって証明され,せん断歪を適用したW borophaneのバンドギャップを開くために効果的かつ実現可能なアプローチであることを示している。添加では,W borophaneのDirac円錐が一軸及び二軸歪の下で良好に維持される。遊離状態では,W borophaneのDiracフェルミオンであるグラフェンのそれより高い超高Fermi速度(2.13 × 10~6 m s~ 1)を有していた。W borophaneのFermi速度は,一軸及び二軸歪を適用することにより広い範囲の値で調整できる非常に興味深い。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 水素化 ,  二量体 ,  フォノン分散 ,  *バンド構造 ,  *計算 ,  点欠陥 ,  バンドギャップ ,  剪断歪 ,  グラフェン
準シソーラス用語： Fermi速度 ,  Diracフェルミオン ,  Diracコーン ,  一軸歪 ,  軸歪 ,  二軸ひずみ ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 第一原理計算 ,  バンド ,  構造工学