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J-GLOBAL ID:201702274377731179   整理番号:17A0366141

Cu_0 0.05Bi_2Te_3の微細構造と熱電特性に及ぼすSeドーピングおよび/またはBi添加の影響【Powered by NICT】

Influence of Se-doping and/or Bi addition on microstructure and thermoelectric properties of Cu0.05Bi2Te3
著者 (4件):
資料名:
巻: 43  号: 1 PA  ページ: 599-603  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Cu_0 0.05Bi_2Se_xTe_3x(x=0.2,0.3,0.4)バルク試料をガス誘起還元法により合成しホットプレス対応するナノ粉末により作製した。Seドーピングはキャリア濃度,試料の電気伝導率を有意に増加させた。これに基づいて,より高い力率をもつCu_0 0.05Bi_2Se_0 3Te_2 7サンプルは,元のサンプルとして選択した;Cu_0 0.05Bi_2Se_0 3Te_2 7ナノ粉末を種々の量のBiナノ粒子(NPs)を混合し,バルク試料にホットプレスした。Bi NPsの添加は試料の焼結を促進した。添加されたBi NPsの含有量が低いとき(≦1wt%),電気伝導率は,純粋な試料よりも高く,全てのBi NP添加試料は,元の試料よりも高いSeebeck係数を持ち,従って,パワーファクタが改善された。最大力率,30.6μWcm~ 1K~ 2は2wt%Bi NPs添加試料で得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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セラミック・磁器の性質 
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