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J-GLOBAL ID：201702274409261204   整理番号：17A0697405

電気化学的に堆積したBi_2S_3薄膜の構造,形態および光学的性質に及ぼす熱処理の影響【Powered by NICT】

The effects of thermal treatment on structural, morphological and optical properties of electrochemically deposited Bi₂S₃ thin films

著者 (5件)： Riahi M. (Laboratoire de Chimie Analytique et Electrochimie (LR99ES15), Faculte des Sciences de Tunis, Universite Tunis-El Manar, 2092 Tunis, Tunisia) ,  Martinez-Tomas C. (Department of Applied Physics and Electromagnetism, Universitat de Valencia, C/Dr. Moliner 50, 46100 Burjassot, Valencia, Spain) ,  Agouram S. (Department of Applied Physics and Electromagnetism, Universitat de Valencia, C/Dr. Moliner 50, 46100 Burjassot, Valencia, Spain) ,  Boukhachem A. (Unite de Physique des Dispositifs a Semi-conducteurs, Faculte des sciences de Tunis, Universite de Tunis El Manar, 2092 Tunis, Tunisia) ,  Maghraoui-Meherzi H. (Laboratoire de Chimie Analytique et Electrochimie (LR99ES15), Faculte des Sciences de Tunis, Universite Tunis-El Manar, 2092 Tunis, Tunisia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 626  ページ： 9-16  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化ビスマス(Bi_2S_3)の薄膜を,Bi(NO_3)3,エチレンジアミン四酢酸(EDTA)とNa_2S_2O_3の水溶液からインジウムをドープした酸化スズ基板上に電気化学的に堆積した。膜の構造特性をX線回折と高分解能透過型電子顕微鏡解析を用いて特性化した。膜はBi_2S_3と共に金属ビスマスの斜方晶構造に結晶化する。硫黄雰囲気中で作製した膜の熱アニーリングは,結晶性と接着を改善する。400°Cでのアニール前と後に析出した膜のバンドギャップ値は1.28と1.33eVであることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化スズ ,  *光学的性質 ,  *電気化学 ,  構造特性 ,  *ビスマス ,  斜方晶系 ,  インジウム ,  *薄膜 ,  焼なまし ,  X線回折 ,  ドーピング ,  脂肪族アミン ,  脂肪族カルボン酸 ,  アミノカルボン酸 ,  ジアミン
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  HRTEM ,  硫化ビスマス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Semiconductors ,  硫化ビスマス ,  薄膜 ,  電着 ,  光学的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： EDTA

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  堆積 ,  薄膜 ,  形態 ,  光学的性質 ,  熱処理