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J-GLOBAL ID：201702274432774732   整理番号：17A1772428

HfO_2中のGeナノ結晶を用いた浮遊ゲートメモリに及ぼす光照射効果【Powered by NICT】

Light illumination effects on floating gate memory with Ge nanocrystals in HfO₂

著者 (6件)： Palade C. (National Institute of Materials Physics, 405A Atomistilor Street, Magurele, Bucharest 077125, Romania) ,  Slav A. (National Institute of Materials Physics, 405A Atomistilor Street, Magurele, Bucharest 077125, Romania) ,  Lepadatu A. M. (National Institute of Materials Physics, 405A Atomistilor Street, Magurele, Bucharest 077125, Romania) ,  Lazanu S. (National Institute of Materials Physics, 405A Atomistilor Street, Magurele, Bucharest 077125, Romania) ,  Ciurea M.L. (National Institute of Materials Physics, 405A Atomistilor Street, Magurele, Bucharest 077125, Romania) ,  Stoica T. (National Institute of Materials Physics, 405A Atomistilor Street, Magurele, Bucharest 077125, Romania)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CAS  ページ： 87-90  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO2中のGeナノ結晶に基づくキャパシタフローティングゲートメモリのプログラミングに及ぼす光照射の影響を調べた。コンデンサは600~°CでHfO_2/Ge HfO_2/HfO_2の層配列とナノ結晶形成のための成長後急速熱アニーリングのマグネトロンスパッタリング堆積によりc-Si基板上に作製した。構造の照明は,半透明Au接触(20%の透明度)により行った。C-V曲線における90%の光誘起変化の最大値はV書き込みプログラミング5mW/cm~2照射で得られた。C-V曲線の相対的変化に及ぼす光曝露の影響は1分で書込み時間を減少させることによって増加させることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： コンデンサ ,  *ナノ結晶 ,  酸化ハフニウム ,  *フローティングゲート ,  マグネトロン ,  *記憶装置 ,  計算機プログラミング ,  RTA【熱処理】 ,  スパッタ蒸着 ,  *ゲルマニウム ,  *光照射 ,  透明度
準シソーラス用語： 光曝露 ,  光誘起 ,  半透明 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  ナノ結晶 ,  浮遊ゲート ,  照射効果