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J-GLOBAL ID：201702274440320233   整理番号：17A1358486

レーザ応用のためのSiプラットフォームと統合したSiGeSnベース量子井戸の設計と解析【Powered by NICT】

Designing and analysis of SiGeSn-based quantum wells integrated with Si platform for laser applications

著者 (3件)： Maczko H. S. (Department of Experimental Physics, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspian ́skiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Kudrawiec R. (Department of Experimental Physics, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspian ́skiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Gladysiewicz M. (Department of Experimental Physics, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspian ́skiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NUSOD  ページ： 13-14  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Ge仮想基板上に成長させた圧縮歪Ge_1 xSn_x/Ge量子井戸(QW)は非常に有望なTEモード利得媒体であることを示した。さらに,発光波長と分極がGe_1 wSn_w/Si_yGe_1x ySn_x QW_sでどのように制御できるかを示した。提示したQWシステムの能力の実証は,材料利得の横電場(TE)と横磁場(TM)モードの解析,8バンドk・p電子バンド構造による計算に基づいている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子井戸 ,  媒質 ,  磁場 ,  発光 ,  *レーザ応用 ,  TEモード ,  波長 ,  *ケイ素 ,  利得 ,  電場
準シソーラス用語： 電子バンド構造 ,  圧縮歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： レーザ応用 ,  Si ,  プラットフォーム ,  統合 ,  量子井戸 ,  設計 ,  解析