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J-GLOBAL ID：201702274455626742   整理番号：17A0062742

SIC MOSFETゲート容量抽出実験方法と影響因子に関する研究【JST・京大機械翻訳】

A SiC MOSFET Gate Capacitance Extraction Method and Influence Factors Research

著者 (7件)： Li Hui (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology (Chongqing University)) ,  Liao Xinglin (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology (Chongqing University)) ,  Zeng Zheng (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology (Chongqing University)) ,  Shao Weihua (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology (Chongqing University)) ,  Hu Yaogang (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology (Chongqing University)) ,  Xiao Hongwei (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology (Chongqing University)) ,  Liu Haitao (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology (Chongqing University))
資料名： Zhongguo Dianji Gongcheng Xuebao  (Zhongguo Dianji Gongcheng Xuebao)
巻： 36  号： 15  ページ： 4224-4231  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2285A  ISSN： 0258-8013  CODEN： ZDGXER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SIC MOSFETとSI MOSFETはIGBTと良好な互換性があるため、特にゲート容量C_(GS)とC_(OX)パラメータ抽出の有効な手段が不足しているため、性能評価、モデルシミュレーション及び応用レベルの向上に影響する。本論文では,SIC MOSFETの典型的な抵抗負荷回路の解析に基づいて,ゲート電流の変化がゲート電圧C_(GS)とC_(OX)の計算に困難をもたらすことを示した。定電流源回路を増加することによって,SIC MOSFETのターンオンプロセスにおけるゲート駆動電流の定常状態を維持するために,簡単な計算によって,C_(GS)とC_(OX)のパラメータを抽出するための実験的方法を提案した。ある種の具体的なデバイスに対してパラメータ抽出実験を行い、得られた結果はDATASHEETの結果と比較的に一致し、この方法の有効性を検証した。また、異なる負荷、環境温度は本文の方法で得られたグリッド容量C_(GS)とC_(OX)の結果に与える影響が小さいが、異なる直流電圧はグリッド容量C_(GS)の結果に対して影響が大きく、高い直流電圧でのパラメータ抽出の結果は比較的安定している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： IGBT ,  定電流電源 ,  互換性 ,  直流電圧 ,  性能評価 ,  *MOSFET ,  環境温度 ,  パラメータ抽出 ,  *影響因子 ,  *実験方法
準シソーラス用語： 駆動電流 ,  ゲート電圧 ,  ゲート電流 ,  モデルシミュレーション ,  *ゲート容量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiC MOSFET ,  gate capacitances ,  parameters extraction ,  constant current source circuit

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  ゲート容量 ,  実験方法 ,  影響因子 ,  研究