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J-GLOBAL ID：201702274474375595   整理番号：17A0794747

STT-MRAMのための擬似差動センシングフレームワーク:クロスレイヤーの展望【Powered by NICT】

Pseudo-Differential Sensing Framework for STT-MRAM: A Cross-Layer Perspective

著者 (6件)： Kang Wang (Spintronics Interdisciplinary Center and School of Computer Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Chang Liang (Spintronics Interdisciplinary Center, Fert Beijing Institute, Beihang University, Beijing, China) ,  Wang Zhaohao (Spintronics Interdisciplinary Center, Fert Beijing Institute, Beihang University, Beijing, China) ,  Lv Weifeng (Spintronics Interdisciplinary Center and School of Computer Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Sun Guanyu (Center for Energy-efficient Computing and Applications, Peking University, Beijing, China) ,  Zhao Weisheng (Spintronics Interdisciplinary Center, Fert Beijing Institute, Beihang University, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Computers  (IEEE Transactions on Computers)
巻： 66  号： 3  ページ： 531-544  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0233A  ISSN： 0018-9340  CODEN： ICTOB4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 漏れ電流の急速な増加に伴い,不揮発性メモリは,次世代計算機アーキテクチャの競争候補になっている。それらの中で,STT-MRAMは,高密度・高速・大きな耐久性作業記憶における大きな可能性等を示した。しかし,著者らの研究に基づいて,動的書込みパワーと読取信頼性はSTT-MRAMの二つの重要な課題である。本研究では,これらの課題に対処するためにデバイス,回路と建築技術を採用した相乗的擬似差動センシング(PDS)フレームワークを提案した。特に,三つの設計技術,細胞クラスタ,非対称センシング増幅器と自己誤り検出補正を含め,PDSフレームワークを実装するために提案した。全体デバイス回路アーキテクチャクロスレイヤ同時設計はSTT-MRAMキャッシュメモリにおける利用,改善された密度,信頼性とエネルギー効率から利益を得ることを可能にすることを示した。著者らの実験結果は,提案した方式は,読取マージンを改善する~35.6%,面積,読込みレイテンシ,エネルギー,書込みレイテンシおよび書き込み電力を減少させるそれぞれ~46.7~9.8~30.3~2.3と~31.1%,8MBのキャッシュ容量のための典型的な1T1MTJセル構造と比較してことを示した。さらに,提案したPDS方式は~32.9%と漏れエネルギーによる動的エネルギーを減少させる~830%,IPCを改善する~1.3%とそれぞれ,従来のSRAMに基づくキャッシュと比較して,レートを~36.9%。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： SRAM ,  増幅器 ,  耐久性 ,  エネルギー効率 ,  不揮発性メモリ ,  誤り検出 ,  *待ち時間 ,  クラスタ ,  計算機アーキテクチャ ,  信頼性 ,  漏れ電流 ,  非対称性 ,  キャッシュメモリ ,  高速度
準シソーラス用語： *クロスレイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 記憶方式  (JC02040V)

タイトルに関連する用語 (5件)： STT-MRAM ,  擬似 ,  差動 ,  クロスレイヤー ,  展望