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J-GLOBAL ID：201702274525682227   整理番号：17A0938434

BiVO_4量子ドット修飾スクリュー状SnO_2ナノ構造上での可視光照射下での効率的な水素発生【Powered by NICT】

Efficient hydrogen evolution under visible light irradiation over BiVO₄ quantum dot decorated screw-like SnO₂ nanostructures

著者 (6件)： Xie Mingzheng (Key Laboratory of Western China’s Environmental Systems of the Ministry of Education, Key Laboratory for Environmental Pollution Prediction and Control of Gansu Province, College of Earth and Environmental Sciences, Lanzhou University, Lanzhou 730000, P. R. China) ,  Zhang Zemin ,  Han Weihua ,  Cheng Xiuwen ,  Li Xiaoli ,  Xie Erqing
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 21  ページ： 10338-10346  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造光触媒を量子化効果による増強された光触媒性能のために,魅力的である。本研究では,BiVO_4量子ドットを,連続イオン層吸収と反応法によるスクリューSnO_2ナノ構造の表面上に修飾した。バルク材料から区別とBiVO_4量子ドットの役割は水分解光アノードとしてそれらの機能を調べた。粒子サイズは約5nmに減少したとき,BiVO_4のバンドギャップは2.6eVまで増加させることができたことを示したが,バルクのバンドギャップは2.4eVであった。さらに,粒子サイズの減少とスクリューSnO_2ナノ構造との結合は,可視光照射下で二倍まで光電流密度を高めた。入射光子から電流への変換効率は,400nmで13.47%まで増加した。さらに,助触媒としてPtを析出させることにより,可視光照射下でBiVO_4量子dot/screwのようなSnO_2ナノ構造上に実現した水素への水の分裂と,生成速度は最大1.16μH~( 1)cm~ 2であった。改善された光電気化学特性と水素発生のための強化された光触媒活性はBiVO_4量子ドットとスクリューSnO_2ナノ構造間の効果的な電子移動,従って長期光生成電荷キャリア寿命だけでなく,バンドギャップ広がりとエネルギー準位の再配列のために,BiVO_4とSnO_2の高い伝導帯ボトムレベルに起因していた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *量子ドット ,  伝導バンド ,  電流密度 ,  光触媒 ,  *ナノ構造 ,  *水素 ,  粒度 ,  電流 ,  触媒活性
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  光アノード ,  水分解 ,  *水素発生 ,  *可視光照射 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 量子ドット ,  修飾 ,  スクリュー ,  ナノ構造 ,  可視光照射 ,  水素発生