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J-GLOBAL ID:201702274528258510   整理番号:17A0250245

簡略化した工程を使ったMOS電界効果トランジスタ作製実験教材の開発

著者 (3件):
資料名:
巻: 64  号:ページ: 6_127-6_130(J-STAGE)  発行年: 2016年 
JST資料番号: L4363A  ISSN: 1341-2167  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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今日の高度情報化社会は,半導体素子の高速化及び高機能化によって実現されているため,大学や高専の電気電子工学系の学科で,半導体工学は重要な科目の一つとなっている.しかし,高専において半導体素子を作製するものづくり実験の実施は容易ではなく,講義による知識の習得だけとなっていることが多い.講義と合わせて,半導体素子を実際に作製し,その特性を評価することは,学生が半導体工学を理解する上で重要である。著者らは,シリコン(Si)太陽電池を作製する実験教材を開発してきた.これまでに確立したSi太陽電池の作製技術を基に,簡略化した工程を使ってMOSFETを作製する実験教材の開発を試みた.そして,半導体工学を理論と実践の両面から理解することに役立てられるように,簡略化した工程を使ってMOS-FETを作製する実験教材の開発に取り組んだ.その結果,とくに,n型不純物拡散層及びAl電極を簡略化した工程で形成することによって,比較的容易にMOSFETが作製できる実験教材の構築の見通しが得られた.この実験教材は,MOSFETの作製に必要な工程が全て含まれており,半導体工学を技術的及び物理的に理解することに繋がる効果的な実験教材になると思われる。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
科学技術教育  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (4件):
  • 1) 辻 琢人, 長岡史郎, 若原昭浩 : シリコン太陽電池作製実験教材の開発及び工学実験への導入, 工学教育, 63-4, pp.33-36, 2015
  • 2) 柳井久義, 永田 穣 : 改訂集積回路工学 (1), pp.97-116, コロナ社, 1987
  • 3) 中村俊三郎 : 卒業研究における集積回路分野への導入教育, 工学教育, 51-1, pp.115-119, 2003
  • 4) 辻 琢人, 長岡史郎, 大谷真弘, 若原昭浩:MOS電界効果トランジスタ作製実験教材の開発, 平成27年度工学教育研究講演会講演論文集, pp.138-139, 2015

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