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J-GLOBAL ID：201702274553535959   整理番号：17A1498338

バリウムヘキサフェライトの電磁特性に及ぼすガリウムドーピングの効果【Powered by NICT】

Effect of gallium doping on electromagnetic properties of barium hexaferrite

著者 (20件)： Trukhanov S.V. (National University of Science and Technology “MISiS”, Leninskii av., 4, Moscow, 119049, Russia) ,  Trukhanov S.V. (Laboratory of Single Crystal Growth, South Ural State University, Lenin av., 76, Chelyabinsk, 454080, Russia) ,  Trukhanov S.V. (Scientific Practical Materials Research Centre, National Academy of Sciences of Belarus, P. Brovki Str., 19, Minsk, 220072, Belarus) ,  Trukhanov A.V. (National University of Science and Technology “MISiS”, Leninskii av., 4, Moscow, 119049, Russia) ,  Trukhanov A.V. (Laboratory of Single Crystal Growth, South Ural State University, Lenin av., 76, Chelyabinsk, 454080, Russia) ,  Trukhanov A.V. (Scientific Practical Materials Research Centre, National Academy of Sciences of Belarus, P. Brovki Str., 19, Minsk, 220072, Belarus) ,  Kostishyn V.G. (National University of Science and Technology “MISiS”, Leninskii av., 4, Moscow, 119049, Russia) ,  Panina L.V. (National University of Science and Technology “MISiS”, Leninskii av., 4, Moscow, 119049, Russia) ,  Trukhanov An.V. (National University of Science and Technology “MISiS”, Leninskii av., 4, Moscow, 119049, Russia) ,  Trukhanov An.V. (Scientific Practical Materials Research Centre, National Academy of Sciences of Belarus, P. Brovki Str., 19, Minsk, 220072, Belarus) ,  Turchenko V.A. (Frank Laboratory of Neutron Physics, Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Moscow Region, 141980, Russia) ,  Turchenko V.A. (Donetsk Institute for Physics and Engineering, National Academy of Sciences of Ukraine, R. Luxembourg Str., 72, Donetsk, 83114, Ukraine) ,  Turchenko V.A. (Donetsk Institute of Physics and Technology Named after O.O. Galkin of the NAS of Ukraine, Nauky av., 46, Kyiv, 03680, Ukraine) ,  Tishkevich D.I. (Scientific Practical Materials Research Centre, National Academy of Sciences of Belarus, P. Brovki Str., 19, Minsk, 220072, Belarus) ,  Trukhanova E.L. (National University of Science and Technology “MISiS”, Leninskii av., 4, Moscow, 119049, Russia) ,  Trukhanova E.L. (Scientific Practical Materials Research Centre, National Academy of Sciences of Belarus, P. Brovki Str., 19, Minsk, 220072, Belarus) ,  Yakovenko O.S. (Kiev National University Named after Taras Shevchenko, Vladimirskaya Str., 64/13, Kiev, 01601, Ukraine) ,  Matzui L. Yu. (Kiev National University Named after Taras Shevchenko, Vladimirskaya Str., 64/13, Kiev, 01601, Ukraine) ,  Vinnik D.A. (Laboratory of Single Crystal Growth, South Ural State University, Lenin av., 76, Chelyabinsk, 454080, Russia) ,  Karpinsky D.V. (Scientific Practical Materials Research Centre, National Academy of Sciences of Belarus, P. Brovki Str., 19, Minsk, 220072, Belarus)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 111  ページ： 142-152  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaFe_12 xGa_xO_19(x≦1.2)ヘキサフェライトを通常のセラミック技術により合成した。x増加と共に単位格子と磁気パラメータは単調に減少することを確立した。自然強磁性共鳴の周波数は最初にx=0~0.6のとき49.1GHz,49.6GHzから減少し,その後,50.5GHzまで増加した。線幅は単調に3.5GHzから5GHzまで増加した。は 16dBに達したとき,共鳴曲線のピーク振幅は0.9を除いてわずかに変化した。バイアス場における1.3GHz/kOe周波数シフトは小x=0.3については,より顕著である。磁気パラメータの減少は,Fe~3+-O~2-Fe~3+超交換相互作用の希釈の結果である。振幅-周波数特性の挙動を一軸交換異方性の減少により大きく決定される。高周波電磁放射を吸収する効果的材料としてGa置換ヘキサフェライトの展望を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 超交換相互作用 ,  磁気 ,  HF【周波数】 ,  周波数特性 ,  強磁性共鳴 ,  電磁波放射 ,  バイアス ,  セラミック ,  一軸 ,  周波数 ,  *ガリウム ,  周波数シフト
準シソーラス用語： 線幅 ,  単位格子 ,  *ヘキサフェライト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 固相反応 ,  結晶構造 ,  磁気と吸収の測定 ,  ドープしたヘキサフェライト

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： バリウム ,  ヘキサフェライト ,  ガリウム ,  ドーピング