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J-GLOBAL ID：201702274643242103   整理番号：17A1462914

シンクロトロンX線回折によるPb(Mg_1/3Nb_2/3)0.65Ti_0 35O_3セラミックにおける周波数効果電気的疲労と亀裂先端ドメインスイッチング挙動の研究【Powered by NICT】

Investigation of frequency effect on electrical fatigue and crack tip domain-switching behaviors in Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.65Ti_0.35O₃ ceramics via synchrotron X-ray diffraction

著者 (7件)： Promsawat Methee (Department of Materials Science and Technology, Faculty of Science, Prince of Songkla University, 15 Kanjanavanich Road, Hat-Yai, Songkhla 90112, Thailand) ,  Promsawat Napatporn (Synchrotron Light Research Institute, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima 30000, Thailand) ,  Jiansirisomboon Sukanda (School of Ceramic Engineering, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima 30000, Thailand) ,  Namsar Orapim (School of Ceramic Engineering, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima 30000, Thailand) ,  Marlton Fred (School of Materials Science and Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia) ,  Daniels John (School of Materials Science and Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia) ,  Pojprapai Soodkhet (School of Ceramic Engineering, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima 30000, Thailand)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 37  号： 15  ページ： 4609-4616  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pb(Mg_1/3Nb_2/3)0.65Ti_0 0.35O_3セラミックの電気疲労亀裂成長と分域スイッチングに及ぼす周波数の影響を調べた。1 10 50および100Hzで疲労した試料の微細構造,強誘電特性と分域スイッチング挙動の変化を決定した。本実験では,電極と亀裂長さでの損傷層の厚さは周波数の増加と共に減少することが分かった。残留分極は減少し,一方保磁力は多くの荷重サイクルとともに増加した。亀裂先端のまわりのドメイン配向マップを,シンクロトロン源からの走査高エネルギーX線回折を用いて明らかにした。これは亀裂先端近傍の格子歪分布と強誘電分域集合組織に及ぼす疲労周波数の影響を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *周波数 ,  *シンクロトロン ,  分域 ,  格子歪 ,  *亀裂先端 ,  *スイッチング ,  強誘電分域 ,  残留分極 ,  *X線回折 ,  微細構造 ,  *セラミック ,  集合組織 ,  疲れ亀裂成長 ,  強誘電性
準シソーラス用語： *ドメインスイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気疲労 ,  PMNT ,  高エネルギーX線回折 ,  分域スイッチング ,  周波数の影響

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： シンクロトロンX線回折 ,  Pb ,  セラミック ,  疲労 ,  亀裂先端 ,  ドメインスイッチング ,  挙動 ,  研究