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J-GLOBAL ID：201702274803248607   整理番号：17A1092079

多様な熱アニーリングにより修飾されたCdCl_2活性化CdTe薄膜の構造と光電子特性【Powered by NICT】

Structural and optoelectronic properties of CdCl₂ activated CdTe thin films modified by multiple thermal annealing

著者 (3件)： Spalatu N. (Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Krunks M. (Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Hiie J. (Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 633  ページ： 106-111  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdTe/CdSヘテロ構造の伝統的CdCl_2熱処理は,粒成長,焼結及びCdTe格子へのClの取り込みをもたらし,電池の性能が大いに改善される。プロセスはCdCl_2の高い蒸気圧と酸素の存在によって複雑になる。CdCl_2の揮発性と残留酸化生成物の存在を考慮して,筆者等は,粗くされたガラス上に低(250°C)及び高(500°C)基板温度で閉空間昇華により堆積したCdCl_2活性化CdTe膜(厚さ2μm)の性質に及ぼす水素(H_2),真空と閉じた等温条件におけるその後の多重アニーリングの影響に関する系統的な研究結果を提供する。熱アニールした膜の構造と光電特性を比較した。高分解能X線分析は,光電子特性と良く相関して環境とCdTe結晶のCdCl_2不純物の移動性に伴う主要な(111)ピークのシフトを示した。CdCl_2活性化CdTe膜は高い抵抗率と高い暗を持つ光抵抗比。その後水素と真空熱アニーリングは膜の抵抗率と光伝導率を増加させた。暗抵抗率は急激に600°Cで等温アニーリングの結果で約四桁減少した。熱アニーリング条件を制御することにより,CdTe光電子特性のかなりの改善が達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光電子 ,  結晶成長 ,  電気抵抗率 ,  *焼なまし ,  硫化カドミウム ,  ガラス ,  焼結 ,  *テルル化カドミウム ,  光伝導 ,  酸素 ,  不純物 ,  *塩素 ,  *薄膜
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： テルル化カドミウム ,  薄膜 ,  塩化カドミウム活性化 ,  熱アニーリング ,  構造特性光電子特性

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱アニーリング ,  修飾 ,  活性化 ,  CdTe ,  薄膜 ,  光電子