文献

J-GLOBAL ID：201702274960195074   整理番号：17A1718551

非垂直入射角でのHeイオン誘起タングステンnanofuzz形成のエネルギー依存性【Powered by NICT】

Energy dependence of He-ion-induced tungsten nanofuzz formation at non-normal incidence angles

著者 (9件)： Meyer F.W. (Physics Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge 37831-6372, TN, USA) ,  Han L. (Institute for Advanced Computational Science, Stony Brook University, Stony Brook 11794-5250, NY, USA) ,  Han L. (Department of Material Science & Engineering, Stony Brook University, Stony Brook 11794, NY, USA) ,  Hijazi H. (Physics Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge 37831-6372, TN, USA) ,  Bannister M.E. (Physics Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge 37831-6372, TN, USA) ,  Unocic K.A. (Material Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge 3781-6138, TN, USA) ,  Parish C.M. (Material Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge 3781-6138, TN, USA) ,  Krstic P.S. (Institute for Advanced Computational Science, Stony Brook University, Stony Brook 11794-5250, NY, USA) ,  Krstic P.S. (Department of Material Science & Engineering, Stony Brook University, Stony Brook 11794, NY, USA)
資料名： Nuclear Materials and Energy  (Nuclear Materials and Energy)
巻： 12  ページ： 366-371  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3044A  ISSN： 2352-1791  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギー範囲218eV 10keVにおける正常および非垂直入射角のためのHeイオンビーム誘起タングステンnanofuzz形成の測定を報告した。218eVでは,毛羽巻きひげは微細で,表面の法線方向の界面から離れたランダムに成長した。480eV以上では,毛羽巻きひげはますます粗く,その成長方向は入射ビームの方向であった。この変化は変位損傷しきい値エネルギーを超えるが有効になるイオン誘起変位損傷に起因し,Heクラスタの核形成と気泡成長を開始することができる入射ビームの直接見通線のであることを表面のこれらの部分に付加的な近表面トラッピングサイトを生成した。表面形態は,シャドウイングのために十分に粗く発生すると,その後の毛羽成長は,入射イオンビームに向かって優先的に生じる。分子動力学(MD)シミュレーションは,三種類の主要な結晶学的方向に沿った表面近傍領域における変位損傷しきい値エネルギーを決定するために実施した。タングステンバルク値はタングステン表面下第一2 4原子層内で確立されていることが分かった。MDエネルギーしきい値に基づくSRIMシミュレーションは,損傷しきい値が増加する以上の表面近傍領域における空格子点損傷生成は急速にエネルギーとして表面近傍格子改質効果におけるスパッタリングを支配することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *イオン ,  界面 ,  *タングステン ,  分子動力学 ,  毛羽 ,  *ヘリウム ,  核形成 ,  イオンビーム ,  シミュレーション ,  *エネルギー依存性 ,  気泡成長 ,  はじき出し損傷
準シソーラス用語： 表面形態 ,  閾エネルギー ,  *垂直入射 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 相変化を伴う熱伝達  (PA02040V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直入射 ,  He ,  イオン ,  誘起 ,  タングステン ,  エネルギー依存性