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J-GLOBAL ID：201702275017353285   整理番号：17A1498188

純粋な非晶質けい素における単一および複合構造欠陥の解析:第一原理研究【Powered by NICT】

Analysis of single and composite structural defects in pure amorphous silicon: A first-principles study

著者 (2件)： Furukawa Yoritaka (Department of Applied Physics, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Matsushita Yu-ichiro (Department of Applied Physics, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 473  ページ： 64-73  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質シリコン(a Si)の構造及び電子特性を密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算により調べ,固有構造欠陥に焦点を当てた。Car-Parrinello分子動力学(CPMD)による結晶シリコンモデルのシミュレートされた溶融と急冷により,いくつかの異なるa-Si試料における3倍(T_3),5(T_5),と異常4倍(4a)欠陥が含まれているを生成した。試料を用いて,a-Si:Hの不規則構造は,状態密度(DOS)の特性にどのように影響するか明らかにした。続いて,得られた試料の欠陥錯体の性質,三T5欠陥から構成されているものを調べ,欠陥複合体のための条件を示すエネルギー的に安定であった。最後に,a-Si:HにおけるT_5欠陥の水素不動態化プロセスを調べ,T_5の水素化は発熱反応であることを,二T_5部位を不動態化するためにH_2分子の活性化エネルギーは1.05eVであると計算されることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *第一原理 ,  水素 ,  分子動力学 ,  活性化エネルギー ,  状態密度 ,  密度汎関数法 ,  不動態化 ,  *アモルファスシリコン ,  水素化 ,  *複合構造 ,  複合欠陥 ,  発熱反応
準シソーラス用語： a-Si:H ,  *構造欠陥 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度範関数理論 ,  分子動力学 ,  非晶質シリコン ,  欠陥

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質けい素 ,  構造欠陥 ,  解析 ,  第一原理 ,  研究