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J-GLOBAL ID：201702275114408238   整理番号：17A1350430

高密度シリコンインターポーザ上の10μm微細ピッチCuピラーのRFキャラクタリゼーションとモデリング【Powered by NICT】

RF Characterization and Modeling of 10 μm Fine-Pitch Cu-Pillar on a High Density Silicon Interposer

著者 (6件)： Jacquinot H. ,  Arnaud L. ,  Garnier A. ,  Bana F. ,  Barbe J. C. ,  Cheramy S.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTC  ページ： 266-272  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャラクタリゼーション手法に基づく100MHzから40GHz周波数帯における10μm微細ピッチマイクロバンプ型相互接続のRLCGモデルを提供することである。RF測定はチップ10Ω・cm基板抵抗率シリコンインターポーザ上に微細ピッチ10μmのCuピラーを用いたウエハ組立への短ループ内ポート試験構造に基づいて行った。精度は44Cuピラー遷移を用いたコプレーナ伝送線路の恩恵により達成される。著者の知る限り,これは微細ピッチCuピラーのRLCGモデルは実験結果から抽出されるのはこれが初めてである。本研究のもう一つの目的は広い周波数範囲で主な物理的効果,特に微細ピッチCuピラー,すなわち抵抗の重要なパラメータについてのより良い理解を得ることである。最後に,提案したRLCGモデルに基づく解析は,高周波寄生効果を緩和するプロセス改良のおかげで抵抗インターポーザチップリンクの周波数で最適化した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデリング ,  最適化 ,  電気抵抗率 ,  周波数 ,  周波数帯 ,  *銅 ,  HF【周波数】 ,  相互接続 ,  ポート ,  *キャラクタリゼーション ,  モデル ,  伝送線路
準シソーラス用語： 寄生効果 ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  混成集積回路  (NC03163K) ,  接続部品  (NA05050Z) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  インターポーザ ,  微細ピッチ ,  Cu ,  ピラー ,  RF ,  キャラクタリゼーション ,  モデリング