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J-GLOBAL ID：201702275132155923   整理番号：17A0634916

ジグザグシリセンナノシステム中のトポロジカルに保護されたac輸送

Topologically protected ac transport in zigzag silicene nanosystem

著者 (4件)： YE En-Jia (Jiangnan Univ., Wuxi, CHN) ,  SUN Yun-Lei (Zhejiang Univ. City Coll., Hangzhou, CHN) ,  YANG Guo-Feng (Jiangnan Univ., Wuxi, CHN) ,  CHEN Guo-Qing (Jiangnan Univ., Wuxi, CHN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 4  ページ： 297,1-7  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリセンナノリボンとナノ接合の低周波ac輸送特性を研究した。スピン-軌道相互作用(SOI)と外部電界の調節効果を考慮して,強束縛近似法及びac応答理論に基づいてdcコンダクタンスとacエミッタンスを計算した。シリセンナノシステムでは,SOIがトポロジカルに保護されたエッジ状態を誘起することを示す結果を得た。一方,外部電界E_Zは,Dirac点周辺のエネルギーギャップを開き,それがスピンの縮退をほどき,ギャップから離れた輸送チャネルを増倍した。強いSOIは,線形ac輸送にも重要な影響を及ぼした。結果として,強いSOIによってac輸送が除去され,シリセンシステムのサイズ変動に対抗してトポロジカルに保護されることが分かった。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  *コンダクタンス ,  *エミッタンス ,  *強束縛近似 ,  *線形応答理論 ,  リボン結晶 ,  接合 ,  *バンド構造 ,  *Dirac方程式 ,  スピン-軌道相互作用 ,  外場 ,  電場 ,  *位相幾何学
準シソーラス用語： *シリセン ,  ジグザグ構造 ,  ナノリボン ,  ナノ接合 ,  *Dirac点 ,  *エッジ状態

分類 (2件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (2件)： Ac ,  輸送