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J-GLOBAL ID：201702275134108766   整理番号：17A1006680

極細Teナノワイヤの化学吸着によるオプトエレクトロニクス特性とバンド構造の工学的操作

Manipulation of Optoelectronic Properties and Band Structure Engineering of Ultrathin Te Nanowires by Chemical Adsorption

著者 (7件)： ROY Ahin (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  AMIN Kazi Rafsanjani (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  TRIPATHI Shalini (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  BISWAS Sangram (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  SINGH Abhishek K. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  BID Aveek (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  RAVISHANKAR N. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 23  ページ： 19462-19469  発行年： 2017年06月14日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい半導体材料の設計と新しい機能の付与に対して,バンド構造工学は強力な技術となる。この論文では,低次元系の表面吸着による新しい汎用技術を述べる。極細Teナノワイヤのバンド構造を,NO₂吸着により制御する実験を行った。単一極細Teナノワイヤの電界効果トランジスタ(FET)素子の抵抗の温度依存性を測定し,NO₂吸着量の増加と共に半導体から金属状態に転移した。Teの振動ラマンモードが,NO₂の濃度の増加と共に徐々に消滅し,Teに吸着したNO₂の金属状態の出現をサポートしている。このことは,NO₂が吸着したTeナノワイヤにおけるミッドギャップ状態の出現を意味する。この研究により,室温で適当な化学物質を表面に吸着させる新しい技術を提供できた。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *テルル ,  *バンド構造 ,  金属線 ,  *二酸化窒素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電気抵抗 ,  温度依存性 ,  *金属-半導体転移 ,  *化学吸着
準シソーラス用語： 極細線 ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Te ,  ナノワイヤ ,  化学吸着 ,  オプトエレクトロニクス ,  バンド構造 ,  工学