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J-GLOBAL ID：201702275137222841   整理番号：17A1400015

GaN-HEMTのスイッチング挙動の解析【Powered by NICT】

An analysis of the switching behavior of GaN-HEMTs

著者 (2件)： Ebli Michael (Robert Bosch Center for Power Electronics, Reutlingen University, Alteburgstr. 150, 72762, Germany) ,  Pfost Martin (Chair of Energy Conversion, Dortmund Technical University, Emil-Figge-Str. 68, 44227, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISSCS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN HEMTs)は低容量を持ち,ハードターンオンが要求される応用における低スイッチング損失を達成することができる。低スイッチング損失は高速スイッチングを暗示した。,高速電圧と電流過渡現象が発生する。しかし,これらの過渡現象は,高度に最適化されたシステムに対してもパッケージとレイアウト寄生効果によって制限される。さらに,高速スイッチングは,入力容量,高いゲート電流の急速充電を必要とする。本論文では,共通ソースインダクタンスとゲートドライバ供給電圧によるGaN-HEMTのスイッチング速度限界を検討した。GaN-HEMTのターンオン挙動をシミュレートし,寄生効果の影響とスイッチング損失に及ぼすゲートドライバ供給電圧を詳細に記述した。さらに,測定は,500Vのドレイン-ソース電圧と60Aまでのドレイン-ソース電流の最適配置を行った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング損失 ,  ターンオン ,  過渡現象 ,  高速度 ,  最適化 ,  電圧 ,  *スイッチング ,  電流
準シソーラス用語： 最適配置 ,  スイッチング速度 ,  供給電圧 ,  急速充電 ,  ゲート電流 ,  寄生効果 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  HEMT ,  スイッチング ,  挙動 ,  解析