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J-GLOBAL ID：201702275243264837   整理番号：17A1607846

Mn二ハロゲン化物系の水素官能化誘起二次元強磁性半導体【Powered by NICT】

Hydrogen functionalization induced two-dimensional ferromagnetic semiconductor in Mn di-halide systems

著者 (4件)： Umar Farooq M. (Department of Physics, Pukyong National University, Busan 608-737, Korea. [e-mail]) ,  Khan Imran ,  Moaied Mohammed ,  Hong Jisang
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 43  ページ： 29516-29524  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元マンガン二ハロゲン化物(MnY_2,Y=I,Br,Cl)と水素化システム(MnHY_2)の電子的および磁気的性質を調べた。元MnY_2単分子層は非常に弱い磁気交換相互作用を持ち,Mnは有限バンドギャップを持つ5μ_Bの高い磁気モーメントを有していたが,強磁性および反強磁性状態間の縮退した磁気状態を見出した。しかし,純粋MnY_2構造における縮退を破壊し,FM基底状態は全てMnHY_2システムで得られたために電子バンド構造と磁気的性質は水素原子による官能化により顕著に改変されることを見出した。H原子における負のスピン分極とMn原子5μ_Bから4μ_Bに減少しの磁気モーメントを得た。しかし,この負の偏光はMnHY_2システムにおけるFM基底状態の誘導に重要な役割をplaid。MnHY_2における非対称スピン依存バンドギャップも元のMnY_2システムのそれと比較して,この水素化による大幅に増強された。この発見は水素化MnHY_2はスピントロニクスのための潜在的な強磁性半導体として使用できることを示唆した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ハロゲン化物 ,  *マンガン化合物 ,  水素 ,  官能化 ,  *強磁性半導体 ,  磁性 ,  *水素化物 ,  交換相互作用 ,  弱い相互作用 ,  強磁性 ,  反強磁性 ,  縮退 ,  磁気モーメント ,  バンドギャップ ,  バンド構造 ,  基底状態 ,  スピン分極 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *二次元構造 ,  電子物性 ,  単層 ,  磁気状態 ,  電子バンド構造 ,  水素原子 ,  構造破壊

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： Mn ,  ハロゲン化物 ,  水素 ,  官能化 ,  誘起 ,  強磁性半導体