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J-GLOBAL ID：201702275295898994   整理番号：17A0518101

9Tで2MA cm^-2を超える高臨界電流密度のCo添加BaFe₂As₂薄膜におけるボルテックスピンニング特性

Vortex pinning properties in Co-doped BaFe₂As₂ thin films with a high critical current density over 2 MA cm^-2 at 9 T

著者 (7件)： YUAN Pusheng (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YUAN Pusheng (Univ. Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  XU Zhongtang (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Dongliang (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Ming (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LI Jianqi (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  MA Yanwei (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 30  号： 2  ページ： 025001,1-8  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Co添加BaFe₂As₂(Ba122:Co)薄膜のボルテックスピンニング機構を理解することは,Ba122:Coの応用にとって重要で,高臨界電流密度(J_c)を有するBa122:Co薄膜の自然成長欠陥のピンニングを報告した。CaF₂基板上にパルスレーザ堆積によりエピタキシャルBa122:Co薄膜を成膜した。電子輸送特性から,4.2K,9Tにおいて,2.6MA cm^-2を超えるJ_cが得られた。これは鉄系超伝導体において最高値である。微細構造から高密度のab面欠陥(積層欠陥)およびサンプル中に存在する局所的な垂直欠陥が明らかになった。Dew-Hughesモード解析から表面欠陥および点欠陥によるピンニング中心はそれぞれH//abおよびH//cの原因であることが分かった。したがって,H//abおよびH//cの両方の強磁場における高J_cは,Ba122:Co薄膜のピンニング中心として作用する表面欠陥および点欠陥と関連している。

シソーラス用語： *超伝導薄膜 ,  *ヒ化物 ,  *鉄化合物 ,  バリウム化合物 ,  ドーピング ,  コバルト ,  *磁束ピン止め ,  鉄系超伝導体 ,  臨界電流密度 ,  積層欠陥 ,  表面欠陥 ,  点欠陥 ,  パルスレーザ蒸着 ,  エピタクシー ,  渦糸【磁束】 ,  鉄ヒ素系超伝導体 ,  格子欠陥

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 臨界電流密度 ,  CO ,  薄膜