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J-GLOBAL ID：201702275328276333   整理番号：17A1422900

ステップのある4H-SiC{0001}表面のDFT研究【Powered by NICT】

DFT study of stepped 4H-SiC{0001} surfaces

著者 (4件)： Wachowicz E. (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, Plac M. Borna 9, PL-50-204 Wroclaw, Poland) ,  Wachowicz E. (Interdisciplinary Centre for Mathematical and Computational Modelling, University of Warsaw, Pawinskiego 5a, PL-02-106 Warsaw, Poland) ,  Ossowski T. (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, Plac M. Borna 9, PL-50-204 Wroclaw, Poland) ,  Kiejna A. (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, Plac M. Borna 9, PL-50-204 Wroclaw, Poland)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 420  ページ： 129-135  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCおよび6H-SiCポリタイプの六方晶系結晶の成長は<0001>方向に起こる。露出結晶表面は半単位格子または単一の単位胞高さの原子ステップで分離された{0001}配向結晶面のテラスから構成されている。Si終端4H-SiC{0001}とC終端4H-SiC{0001}表面上の[101 0]および[112 0]方向に形成された原子ステップの原子構造と形態の密度汎関数理論(DFT)研究の結果を提示した。後者表面の原子構造と電子構造はステップの最近傍でのみ修飾されるテラスの構造は滑らかな化学量論表面のそれと比較してほとんど変化しない。対照的に,両タイプの適用モデルステップのSi終端表面および考慮した最も広いテラス上のステップ間の領域で観察された実質的な表面座屈。レッジエネルギーを計算し,Si終端表面における周辺部のC原子と[112 0]ステップは調べた全ての症例のエネルギー的に最も有利であることを見出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 化学量論 ,  原子構造 ,  六方晶系 ,  *ケイ素 ,  密度汎関数法 ,  結晶 ,  結晶面 ,  ポリタイプ ,  電子構造 ,  露光
準シソーラス用語： テラス ,  単位格子 ,  結晶表面 ,  6H-SiC ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Surfaces ,  Semiconductors ,  DFT ,  ステップ ,  原子構造 ,  電子構造

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  DFT ,  研究