CVD法による4H-SiCトレンチ充填におけるHCl/SiH<sub>4</sub>ガスの注入比率に関する経験的成長窓

JI Shiyang; KOSUGI Ryoji; KOJIMA Kazutoshi; MOCHIZUKI Kazuhiro; SAITO Shingo; NAGATA Akiyo; MATSUKAWA Yasuko; YONEZAWA Yoshiyuki; YOSHIDA Sadafumi; OKUMURA Hajime

文献

J-GLOBAL ID：201702275344901813 整理番号：17A1003227

CVD法による4H-SiCトレンチ充填におけるHCl/SiH₄ガスの注入比率に関する経験的成長窓

An empirical growth window concerning the input ratio of HCl/SiH₄ gases in filling 4H-SiC trench by CVD

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A1003227&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A1003227&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599C") }}

著者 (10件)： , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 10 号： 5 ページ： 055505.1-055505.4 発行年： 2017年05月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

4H-SiCトレンチ充填の2種類の欠陥成長は供給ガスの組成比に関連することが分かった。入力HCl/SiH₄比が35を下回ると,メサの周囲に過が成長し,ボイドが形成された。メサ上のオーバエッチングは,HClが過剰に供給されるとエッチングされたメサを誘導し,例えばHCl/SiH₄>65(SiH₄=30sccm)である。従って,無欠陥成長のための経験的窓を識別した。また,HCl SiH₄≒50付近に充填率が高い領域が含まれており,これは十分に比例したエッチングと析出の反応を立証し,25μmの深さの溝(アスペクト比≒11)を4.3μm/hの高速で充填できた。(翻訳著者抄録)

, , , , , , ,
, , ,

固体デバイス製造技術一般

引用文献 (19件)：

T. Fujihira, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 6254 (1997).
Web [http://www.infineon.com/].
R. Kosugi, Y. Sakuma, K. Kojima, S. Itoh, A. Nagata, T. Yatsuo, Y. Tanaka, and H. Okumura, Mater. Sci. Forum 778-780, 845 (2014).
R. Kosugi, Y. Sakuma, K. Kojima, S. Itoh, A. Nagata, T. Yatsuo, Y. Tanaka, and H. Okumura, Proc. 26th Int. Symp. Power Semiconductor Devices & IC's, 2014, p. 346.
R. Kosugi, Y. Sakuma, K. Kojima, S. Itoh, A. Nagata, T. Yatsuo, Y. Tanaka, and H. Okumura, Mater. Sci. Forum 740-742, 785 (2013).

, , , , , , , , ,

前のページに戻る

CVD法による4H-SiCトレンチ充填におけるHCl/SiH4ガスの注入比率に関する経験的成長窓

CVD法による4H-SiCトレンチ充填におけるHCl/SiH₄ガスの注入比率に関する経験的成長窓