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J-GLOBAL ID：201702275358887902   整理番号：17A1831880

バン・アレン・プローブによる放射線帯ドロップアウトの機構を理解する【Powered by NICT】

Understanding the Mechanisms of Radiation Belt Dropouts Observed by Van Allen Probes

著者 (7件)： Xiang Zheng (Department of Space Physics, School of Electronic Information, Wuhan University, Wuhan, China) ,  Xiang Zheng (Department of Physics and Astronomy, West Virginia University, Morgantown, West Virginia, USA) ,  Tu Weichao (Department of Physics and Astronomy, West Virginia University, Morgantown, West Virginia, USA) ,  Li Xinlin (Laboratory for Atmospheric and Space Physics, University of Colorado Boulder, Boulder, Colorado, USA) ,  Ni Binbin (Department of Space Physics, School of Electronic Information, Wuhan University, Wuhan, China) ,  Morley S. K. (Space Science and Applications, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, New Mexico, USA) ,  Baker D. N. (Laboratory for Atmospheric and Space Physics, University of Colorado Boulder, Boulder, Colorado, USA)
資料名： Journal of Geophysical Research: Space Physics  (Journal of Geophysical Research: Space Physics)
巻： 122  号： 10  ページ： 9858-9879  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2389A  ISSN： 2169-9380  CODEN： JGREA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 放射線帯電子の急速なドロップアウトのための支配的な損失機構のより良い理解を達成するために,バン・アレン・プローブで観測された三種の異なる放射線帯ドロップアウト事象を包括的に調べた。各事象に対して,電子フラックスのピッチ角分布と電磁イオンサイクロトロン(EMIC)波の観測を解析し,EMIC波により誘起されたピッチ角散乱による大気降下損失の影響を決定した。最終閉じたドリフト殻(LCD)および磁気圏界面スタンドオフ位置は磁気圏界面シャドウイング損失の影響を評価した。電子位相空間密度(PSD)とL*プロファイルの進化と電子PSD液滴のμおよびK(第一と第二断熱不変量)依存性を異なるL*で支配的な損失機構をさらに解析するために計算した。著者らの知見は,これら放射線帯ドロップアウトは支配的な損失機構の観点から異なるクラス:磁気圏界面シャドウイング,EMIC(電磁イオンサイクロトロン)波散乱支配的で,両機構の組合せに分類できることを示唆した。以前の理解とは異なり,著者らの結果は,磁気圏界面シャドウイングはL*<4で電子を枯渇させることができ,一方,EMIC波はL*>4で電子を散乱される事がわかった。磁気圏界面スタンドオフ位置と比較して,磁気圏界面シャドウイングの影響を評価するためにLCDを用いる方がより信頼性が高い。電子PSDとL*プロファイルの進化と電子PSD液滴のμ,K依存性は外部放射線帯の異なるLで電子損失の原因となる機構に関する重要なと信頼できる手がかりを提供することができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  ドリフト ,  プローブ ,  *放射線帯 ,  磁気圏界面 ,  液滴 ,  高速度 ,  断熱不変量
準シソーラス用語： 外部放射線帯 ,  位相空間密度 ,  シャドーイング ,  ピッチ角散乱 ,  電磁イオンサイクロトロン波 ,  ピッチ角分布 ,  電子フラックス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ドロップアウト放射線帯 ,  最後の閉じたドリフトシェル ,  EMIC(電磁イオンサイクロトロン)波 ,  磁気圏界面シャドウイング ,  位相空間密度

分類 (1件)： 磁気圏  (DC04060Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： バン ,  アレン ,  プローブ ,  放射線帯 ,  ドロップ ,  理解