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J-GLOBAL ID:201702275404415387   整理番号:17A1439832

酸素欠乏条件におけるアニーリングによるファセットBiVO_4の光活性の向上【Powered by NICT】

Enhancing the Photoactivity of Faceted BiVO4 via Annealing in Oxygen-Deficient Condition
著者 (7件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: ROMBUNNO.201600290  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2713A  ISSN: 1521-4117  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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特に水素ガスを低減し,酸素欠乏雰囲気中での金属酸化物の熱アニーリングは,材料の強化された光活性のための酸素空孔形成を誘導することが示されている。300 700°Cの温度範囲でアルゴンアニーリング(他の広く使われて酸素欠乏ガス)は光触媒O_2発生と光電流発生のための二重ファセットBiVO_4微結晶の活性に大きく影響することを実証した。300°Cでの処理は効果にほとんど持たなかったが,500と700°Cのより高い温度は結晶度を著しく改善し,局所構造歪を変化させ,処理したBiVO_4のバンドギャップエネルギーを減少させる。より高い温度処理は,酸素空孔に起因する新しいサブギャップ状態の形成を促進し,表面光起電力及び電子常磁性共鳴分光法により支持された。700°C処理BiVO_4によって示された構造的,光学的および電子的性質の最も顕著な改良にもかかわらず,500°Cでアニールした試料は最高の光活性を示した。700°C処理BiVO_4の低い活性はビスマス空孔の生成と明確な結晶ファセット損失に起因する,電子輸送と貧弱な電荷分離に寄与した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  光物性一般 
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