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J-GLOBAL ID：201702275473368648   整理番号：17A0759419

最適アニーリングによる1.0eV GaInNAsSb太陽電池性能の改善【Powered by NICT】

Improvement of 1.0 eV GaInNAsSb solar cell performance upon optimal annealing

著者 (6件)： Miyashita Naoya (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Miyashita Naoya (NextPV, RCAST and CNRS, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Ahsan Nazmul (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Ahsan Nazmul (NextPV, RCAST and CNRS, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Okada Yoshitaka (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Okada Yoshitaka (NextPV, RCAST and CNRS, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo, 153-8904, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600586  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高効率多重接合太陽電池への応用のための1.0eV GaInNAsSb太陽電池に関する最適ポストアニーリングの影響を調べた。合理的に良好な太陽電池性能は,850°Cでアニールしたデバイスで達成されたこれまでの報告と比較して,温度を低下させるために更なる最適化を行った。光電流電圧特性と内部量子効率(IQE)特性の両方を,デバイス品質の重要な改善が,より低いアニーリング温度で得ることができることを明らかにした。最適アニール条件では,IQEの90%以上が厚さ3.0μm GaInNAsSb太陽電池デバイスで達成された。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  *太陽電池 ,  量子効率 ,  最適化 ,  *焼なまし ,  電流電圧特性 ,  *太陽
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  内部量子効率 ,  ポストアニーリング ,  多重接合 ,  高効率 ,  *電池性能 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アニーリング ,  希薄窒化物半導体 ,  GaInNAsSb ,  分子ビームエピタクシー ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： アニーリング ,  太陽電池