Kakushima K. について
Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan について
Hoshii T. について
Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan について
Tsutsui K. について
Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan について
Nakajima A. について
Nat. Inst. Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan について
Nishizawa S. について
Nat. Inst. Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan について
Wakabayashi H. について
Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan について
Muneta I. について
Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan について
Sato K. について
Mitusbishi Electric, Fukuoka, Japan について
Matsudai T. について
Toshiba Corp., Tokyo, Japan について
Saito W. について
Toshiba Corp., Tokyo, Japan について
Saraya T. について
The University of Tokyo, Tokyo, Japan について
Itou K. について
The University of Tokyo, Tokyo, Japan について
Fukui M. について
The University of Tokyo, Tokyo, Japan について
Suzuki S. について
The University of Tokyo, Tokyo, Japan について
Kobayashi M. について
The University of Tokyo, Tokyo, Japan について
Takakura T. について
The University of Tokyo, Tokyo, Japan について
Hiramoto T. について
The University of Tokyo, Tokyo, Japan について
Ogura A. について
Meiji University, Kawasaki, Japan について
Numasawa Y. について
Meiji University, Kawasaki, Japan について
Omura I. について
Kyushu Inst. of Technology, Kitakyushu, Japan について
Ohashi H. について
Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan について
Iwai H. について
Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan について
IEEE Conference Proceedings について
三次元 について
IGBT について
ゲート電圧 について
トランジスタ について
SAT について
IGBT について
3次元 について
スケーリング について
原理 について
実験 について
検証 について