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J-GLOBAL ID:201702275547269669   整理番号:17A0492512

半ホイスラー構造におけるMnNiSbの混合によるTiNiSnの熱電性能の向上

Improving thermoelectric performance of TiNiSn by mixing MnNiSb in the half-Heusler structure
著者 (8件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 1543-1550  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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n型半導体TiNiSnの熱電特性を,半ホイスラー構造における金属MnNiSbによる部分置換によって最適化した。ここでは,Ti1-XMnXNiSn1-XSbX系における輸送特性,および固有の相分離を研究した。示差熱分析および示差走査熱量測定結果から得られた温度で,アーク溶融およびアニーリングによって,その合金を調製した。粉末X線回折パターン,エネルギー分散型X線分光法および示差走査熱量測定法を用いて,これらの相を特性化した。アニーリング後,大部分の相はいくつかのNiリッチサイトを有するTiNiSnであり,少数相は主としてTi6Sn5,Sn,およびMnSn2であった。NiリッチサイトはFrenkel欠陥によって引き起こされ,これは低温での半導体試料の金属様挙動につながった。X≦0.05の場合,試料は活性化伝導を示したが,X>0.05では金属特性を示した。X=0.05の性能指数は,純粋なTiNiSnと比較して61%(zT=0.45)増加した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
分類
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金属結晶の電子伝導  ,  金属の比熱・熱伝導 
タイトルに関連する用語 (1件):
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