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J-GLOBAL ID：201702275696735007   整理番号：17A1720580

P(VDF TrFE)薄膜の改良された熱伝導率のための熱的に誘起された分子鎖配向【Powered by NICT】

Thermally induced chain orientation for improved thermal conductivity of P(VDF-TrFE) thin films

著者 (3件)： Zhao Junnan (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, USA48109. [e-mail]) ,  Tan Aaron C. ,  Green Peter F.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 41  ページ： 10834-10838  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 被覆または誘電体として使用される高分子薄膜の可能性は,それらの低い熱伝導率,κにより制限される。しかし,高分子薄膜のκ増強に対して非常に限られた研究がなされてきた。本研究では,著者らは,適切な熱アニーリング条件を受けるときポリ(フッ化ビニリデン-co-フルオリド-トリフルオロエチレン)(P(VDF TrFE))薄膜の面外κを向上させることができることを示した。膜は,その融解温度以上でアニールすると,測定した温度範囲でκの300 400%増加し,鋳造したままの膜と比較してを達成した。はこの増強に起因する再結晶プロセス中の基板に垂直な高分子主鎖の広範囲な規則化した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フッ化物 ,  誘電体 ,  *薄膜 ,  *分子鎖 ,  融点 ,  被覆 ,  *熱伝導率 ,  再結晶 ,  高分子薄膜 ,  高分子
準シソーラス用語： 主鎖 ,  温度範囲 ,  熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： VDF ,  薄膜 ,  熱伝導率 ,  誘起 ,  分子鎖 ,  配向