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J-GLOBAL ID：201702275901439910   整理番号：17A1025925

超高速高電圧スイッチ(>1kV)のための直列接続GaNトランジスタ【Powered by NICT】

Series-connected GaN transistors for ultra-fast high-voltage switch (>1kV)

著者 (8件)： Roig Jaume (Power Technology Centre, Corporate R&D ON Semiconductor Oudenaarde, Belgium) ,  Gomez German (Power Technology Centre, Corporate R&D ON Semiconductor Oudenaarde, Belgium) ,  Bauwens Filip (Power Technology Centre, Corporate R&D ON Semiconductor Oudenaarde, Belgium) ,  Vlachakis Basil (Power Technology Centre, Corporate R&D ON Semiconductor Oudenaarde, Belgium) ,  Rodriguez Juan (Electronic Power Supply Systems Group, University of Oviedo Campus, de Viesques, s/n, 33204. Gijon, Spain) ,  Rogina Maria R. (Electronic Power Supply Systems Group, University of Oviedo Campus, de Viesques, s/n, 33204. Gijon, Spain) ,  Rodriguez Alberto (Electronic Power Supply Systems Group, University of Oviedo Campus, de Viesques, s/n, 33204. Gijon, Spain) ,  Lamar Diego G. (Electronic Power Supply Systems Group, University of Oviedo Campus, de Viesques, s/n, 33204. Gijon, Spain)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： APEC 2017  ページ： 3043-3048  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二直列接続650V GaNトランジスタに基づく1.2kV GaNスイッチの実現可能性を本論文で実証した。以外には超高速遷移と減少したスイッチングエネルギー損失を達成するために,積層GaNトランジスタは高電圧GaN-on-Si技術との互換性を可能にした。概念証明を個別部品で構築されたGaNスーパーカスコードの電気的特性評価とハードスイッチング動作によって提供される。さらに補助成分と安定性を高めるために研究をシミュレーションによって行い,共積分プロトタイプをウエハレベルで証明した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 積分 ,  *窒化ガリウム ,  互換性 ,  *スイッチ ,  プロトタイプ ,  *トランジスタ ,  電気的性質 ,  スイッチング ,  *直列接続 ,  エネルギー損失
準シソーラス用語： ハードスイッチング ,  *超高速 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電圧 ,  直列接続 ,  GaN ,  トランジスタ