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J-GLOBAL ID：201702275921157562   整理番号：17A1019982

印刷法による種々のアルカリ及びナノプレート薄膜を用いたソルボサーマル合成によるテルル化ビスマスナノプレートの作製【Powered by NICT】

Fabrication of bismuth telluride nanoplates via solvothermal synthesis using different alkalis and nanoplate thin films by printing method

著者 (3件)： Wada Kodai (Department of Materials Science, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Tomita Koji (Department of Chemistry, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Takashiri Masayuki (Department of Materials Science, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 194-198  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化ビスマス(Bi_2Te_3)六方晶ナノプレートは,NaOH,KOH,およびLiOHのようなアルカリの異なる源を用いたソルボサーマル合成により調製した。NaOHとKOHをナノプレートが得られたことが観察され,一方,LiOHが不規則形状ナノサイズ材料が得られた。特に,NaOHを用いて得られたナノプレートは,非常に低い厚さと単結晶構造を示した。反応イオン(Te~2-,Bi~3+,OH~-,およびアルカリ金属イオン)の構造枠組みもBi_2Te_3核の成長,種々のアルカリを用いて得られた生成物の最終形態の違いを影響する可能性がある。ナノプレート調製後,Bi_2Te_3ナノプレート薄膜を印刷法とその後の400°Cでの熱アニーリングにより作製した。SEM画像は,ナノプレートは薄膜中にランダムに集積したことを示した。室温でBi_2Te_3ナノプレート薄膜の面内熱電特性を測定した。ナノプレート薄膜は124.5cmの電気伝導率, 74μV/KのSeebeck係数,および0.68μW/(cmK~2)の力率を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単結晶 ,  ビスマス化合物 ,  力率 ,  *薄膜 ,  六方晶系 ,  結晶形態 ,  電気伝導率 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  熱電特性 ,  SEM画像 ,  熱アニーリング ,  *テルル化ビスマス ,  *ソルボサーマル合成 ,  *ナノプレート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1結晶形態 ,  A1ナノ構造 ,  A2溶液からの成長 ,  B1ビスマス化合物 ,  B2半導性III-V材料

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： アルカリ ,  薄膜 ,  ソルボサーマル合成 ,  テルル化ビスマス ,  ナノプレート ,  作製