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J-GLOBAL ID：201702275996985634   整理番号：17A0990799

単結晶ZnO基板上へのInNナノピラミッドからの超強テラヘルツ放射【Powered by NICT】

Ultrastrong Terahertz Emission from InN Nanopyramids on Single Crystal ZnO Substrates

著者 (9件)： Liu Huiqiang (State key Laboratory for Optoelectronics Materials and Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Chen Zuxin (State key Laboratory for Optoelectronics Materials and Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Chu Sheng (State key Laboratory for Optoelectronics Materials and Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Chen Xuechen (State key Laboratory for Optoelectronics Materials and Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Liu Min (State Key Laboratory Cultivation Base for Nonmetal Composites and Functional Materials, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, 621010, China) ,  Peng Nan (Division of Engineering and Applied Science, California Institute of Technology, Pasadena, CA, 91125, USA) ,  Chu Guang (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Huang Feng (State key Laboratory for Optoelectronics Materials and Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Peng Rufang (State Key Laboratory Cultivation Base for Nonmetal Composites and Functional Materials, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, 621010, China)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 5  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201700178  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率と室温テラヘルツ(THz)エミッタの生成は,長い間の科学的と産業両分野で期待されている。量子カスケードレーザなどのTHz源における最近の進歩にもかかわらず,室温で動作可能な高効率THzエミッタについては未解明である。,狭いバンドギャップ半導体,窒化インジウム(InN)は,そのユニークな電子特性により有望なTHzエミッタとして出現した。しかし,今までに報告されたInN THzエミッタの効率はまだ不十分な設計された電気伝導と放射結合のために理論的に予測されたからである。本研究では,著者らは,単結晶酸化亜鉛(ZnO)基板上にナノ加工InNマイクロ/ナノピラミッドアレイからなる新しい,高性能THz発光構造を報告した。一意的に構築された幾何から利益を得るZn拡散誘起ドーピングと増強された放射結合からの改善された電子伝導により,THz放射強度が得られたInNナノピラミッドは,p型ひ化インジウム(InAs)のそれよりも強い大きさのために近かった。これらの知見は,InNは有望なTHz材料と材料科学,光工学部門など広い重要であることを証明した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導 ,  *亜鉛 ,  バンドギャップ ,  *単結晶 ,  ナノメータ加工 ,  半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  発光 ,  *テラヘルツ波 ,  窒化インジウム ,  量子カスケードレーザ ,  ヒ化インジウム
準シソーラス用語： 高効率 ,  *テラヘルツ放射 ,  *ナノピラミッド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InN ,  ナノピラミッド ,  テラヘルツ放射 ,  ZnO

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  ZnO ,  InN ,  ナノピラミッド ,  テラヘルツ放射