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J-GLOBAL ID：201702276019435469   整理番号：17A0401003

Auナノ粒子に埋め込まれたIn_2O_3複合膜の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of Au nanoparticles embedded In₂O₃ composite films

著者 (6件)： Ananthan M.R. (Thin Films Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600 039, India) ,  Malar P. (Centre for Ion Beam Applications, Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Malar P. (Research Institute, Department of Physics and Nanotechnology, SRM University, Kattankulathur, Chennai, India) ,  Osipowicz Thomas (Centre for Ion Beam Applications, Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Varma Shikha (Institute of Physics, Bhubaneshwar 751 005, India) ,  Kasiviswanathan S. (Thin Films Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600 039, India)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 622  ページ： 78-83  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Auナノ粒子を埋め込んだIn_2O_3薄膜(In_2O_3:Au)を,三種類の異なる標的配置におけるDC反応性スパッタリング法により成長させた。In_2O_3マトリックス中のAuの存在は,視射角X線回折(GXRD)および透過型電子顕微鏡(TEM)により確認した。Auの結晶子サイズはGXRDデータからDebye-Scherrer式により得られた。~550nmのピーク値と増加結晶サイズへの共鳴ピークの赤方偏移での光学吸収測定からIn_2O_3Au試料で観察された局在表面プラズモン共鳴。Rutherford Si基板上の選択された試料の後方散乱分光法(RBS)研究は,Si基板へのAu拡散の小さいIn拡散と存在しないことを示した。X線光電子分光法(XPS)による研究は,Auの化学状態は中性であることを明らかにした。高Au含有量を有する試料が,サブバンドギャップ吸収In_2O_3におけるサブバンドギャップトラップ準位の導入を示唆するによる残留光伝導を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インジウム ,  後方散乱 ,  結晶粒径 ,  *複合膜 ,  赤方偏移 ,  *金 ,  ピーク値 ,  *キャラクタリゼーション ,  X線回折 ,  反応性スパッタリング ,  ケイ素 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *金ナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Auナノ粒子 ,  ナノ複合材料 ,  In_2O_3Au ,  残留光伝導

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Auナノ粒子 ,  複合膜 ,  成長 ,  特性評価