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J-GLOBAL ID：201702276168854305   整理番号：17A0504457

パルスdcマグネトロンスパッタ酸化インジウムスズ薄膜の電気-光学特性の調整:パルス周波数とアニーリングの効果

Tuning electro-optical properties of pulsed dc magnetron sputtered indium tin oxide thin films: effects of pulsing frequency and annealing

著者 (4件)： SIVAKUMAR R. (Alagappa Univ., Karaikudi, IND) ,  KUMAR Mohit (Inst. of Physics, Bhubaneswar, IND) ,  SANJEEVIRAJA C. (Alagappa Chettiar Coll. of Engineering and Technol., Karaikudi, IND) ,  SOM T. (Inst. of Physics, Bhubaneswar, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： 1409-1418  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス周波数とアニーリング温度はITO膜の構造と電気-光学特性に強く影響する。パルス周波数とアニーリングで結晶が成長し転位密度と膜の歪みが減少する。パルス周波数とアニーリング温度を上げると光透過率が高くなり可視光で87%を超える。膜の結晶化は最初可視光に影響するが,バンドエッジ近傍の欠陥密度減少で低波長での平均透過率が増加する。結晶サイズが大きいと密度が下がって屈折率が小さくなる。光学バンドギャップはパルス周波数とアニーリング温度が上がると3.80から3.91eVに拡がった。結晶成長が進むとITO膜の比抵抗は4.47×10-4Ωcmまで低下し,キャリヤ濃度は1×10²¹cm^-3が得られた。パルス周波数とアニーリング温度があがることによるキャリヤ濃度とキャリヤ移動度の増加はより多くのSn⁴⁺原子が拡散するためである。パルスdcスパッタリングでITO膜の電気-光学特性の調整は可能である。

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *電気特性 ,  *光学的性質 ,  周波数 ,  焼なまし ,  温度 ,  構造特性 ,  透過率 ,  バンド構造 ,  欠陥密度 ,  屈折率 ,  光学ギャップ ,  電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  画像 ,  スペクトル
準シソーラス用語： SEM画像 ,  アニーリング ,  アニーリング温度 ,  キャリア濃度 ,  パルス周波数 ,  バンドエッジ ,  光学バンドギャップ ,  光透過率 ,  透過スペクトル ,  比抵抗

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： パルス ,  DC ,  マグネトロンスパッタ ,  酸化インジウムスズ ,  薄膜 ,  光学特性 ,  パルス周波数 ,  アニーリング