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J-GLOBAL ID：201702276200072114   整理番号：17A1350215

空格子点エンジニアリングを通した領域選択pドーピングによるMoS_2のPFETとフォトダイオードの実現【Powered by NICT】

Realizing P-FETs and photodiodes on MoS₂ through area-selective p-doping via vacancy engineering

著者 (3件)： Bhattacharjee Shubhadeep (Centre for Nano Science and Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, C.V. Raman Avenue, 560012) ,  Ganapathi Kolla Lakshmi (Centre for Nano Science and Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, C.V. Raman Avenue, 560012) ,  Bhat Navakanta (Centre for Nano Science and Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, C.V. Raman Avenue, 560012)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空気と領域選択ドーピング戦略は2D材料を回避し,p/n接合からアクセス可能な電場中で作られたを必要とする半導体素子の多くを実現するための主要なボトルネックとなっている。,空格子点エンジニアリングによるp型ドーピングの可能性,分子/置換ドーピングの以前の報告とは異なり,地域/ドーパント制御と空気の両方を実証した。剥離MoS_2に対して衝撃され,適切なエネルギーとフルエンスのAr~+イオンにより,S:Mo化学量論を変化させる1.94~0.97,その場XPS及びex-situ Raman/PL測定を用いて確認されたp型ドーピングを導入し制御硫黄空格子点の生成を実証した。Ar~+照射フレーク上に作製したFETはn型からキャリア型の極性の完全なフリップを示すp型に同じ金属接触を持つ参照試料と比較した。さらに,選択的Ar~+衝撃のみに接触領域はI_on/I_off>10~3を用いた効果的な正孔注入を示した。最後にフレークの半分で行ったAr~+衝撃によるp/n接合は高い整流比(>10~4),順方向電流(~0.6 mA/cm~2)と優れた光応答(I_light/I_dark~10~3)と応答(100-400 μA/W)を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーパント ,  硫黄 ,  電場 ,  衝撃 ,  フレーク ,  半導体素子 ,  電流 ,  フルエンス ,  *フォトダイオード ,  極性 ,  化学量論
準シソーラス用語： 光応答 ,  整流比 ,  正孔注入 ,  p型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 空格子点 ,  エンジニアリング ,  ドーピング ,  フォトダイオード