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J-GLOBAL ID：201702276213561900   整理番号：17A0550825

立方晶窒化ホウ素高指数面の作製とダイヤモンドヘテロ成長

著者 (5件)： 田村貴大 (北大) ,  高見拓哉 (北大) ,  柳瀬隆 (北大 工) ,  長浜太郎 (北大 工) ,  島田敏宏 (北大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17a-315-2  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヘテロエピタクシー ,  *薄膜 ,  *プラズマCVD ,  窒化ホウ素 ,  指数 ,  *マイクロ波プラズマCVD ,  面指数 ,  *ダイヤモンド膜 ,  CBN【セラミック】
準シソーラス用語： *ダイヤモンド薄膜 ,  立方晶窒化ホウ素

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 立方晶窒化ホウ素 ,  指数 ,  作製 ,  成長