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J-GLOBAL ID：201702276341788282   整理番号：17A0855043

アニールしたサファイア基板に基づくβGa_2O_3ソーラーブラインド深紫外光検出器【Powered by NICT】

β-Ga₂O₃ solar-blind deep-ultraviolet photodetector based on annealed sapphire substrate

著者 (10件)： Qian L.X. (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China) ,  Qian L.X. (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China) ,  Wang Y. (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China) ,  Wang Y. (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China) ,  Wu Z.H. (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China) ,  Wu Z.H. (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China) ,  Sheng T. (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China) ,  Sheng T. (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China) ,  Liu X.Z. (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China) ,  Liu X.Z. (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, Sichuan, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 140  ページ： 106-110  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空アニーリングはβGa_2O_3膜をエピタキシャル成長させる前にプラズマ支援MBE系におけるc面サファイア基板上に行った。エピタキシャル膜の結晶構造と作製した金属-semiconductor-金属光検出器のデバイス性能の両方は供給および焼鈍したサファイア基板上に基づいて調べ比較した。A FM結果は,アニールしたサファイア基板の表面上に均一に分布した突起の多数を示し,そのような前処理による効果的な高温再構成を証明した。さらに,βGa_2O_3エピタキシャル膜は,XRD測定により明らかにされたアニールしたサファイア基板を採用することによって著しく改善された結晶品質を示した。,キャリア移動度は構造障害に関連した不純物散乱の抑制により改善され,光検出器の暗および光電流の観察された顕著な増加をもたらすことができた。その結果,DUV責任は44A/Wから153まで改善された。しかし,暗電流比と応答時間におけるいくつかの劣化が現れ,これは内部利得とキャリア再結合に影響する結晶学的欠陥の減少に帰着できた。高速βGa_2O_3ソーラーブラインド深紫外光検出器の作製,特に高責任の代替法を開く可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  焼なまし ,  光電流 ,  キャリア再結合 ,  プラズマ ,  暗電流 ,  高温 ,  *光検出器 ,  キャリア移動度 ,  応答時間 ,  結晶構造 ,  利得
準シソーラス用語： エピタキシャル膜 ,  *深紫外線 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 真空アニーリング ,  サファイア基板 ,  βGa_2O_3 ,  ソーラーブラインド深紫外光検出器 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： アニール ,  サファイア基板 ,  ブラインド ,  深紫外 ,  光検出器