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J-GLOBAL ID：201702276405662652   整理番号：17A1421059

GdドープZnO膜の構造,形態,光ルミネセンスおよび光触媒特性【Powered by NICT】

Structural, morphological, photoluminescence and photocatalytic properties of Gd-doped ZnO films

著者 (7件)： Yi X.Y. (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Ma C.Y. (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Yuan F. (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Wang N. (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Qin F.W. (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Hu B.C. (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Zhang Q.Y. (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116023, People’s Republic of China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 636  ページ： 339-345  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造GdドープZnO膜をRFマグネトロンスパッタリング法を用いて600°Cで堆積した。構造だけでなく,光学および光触媒特性の形態とその後の変化に及ぼすGd濃度0から2.0at.%まで変化させることの効果を,X線回折(XRD),透過型電子顕微鏡,走査電子顕微鏡(SEM),X線光電子分光法(XPS),光吸収スペクトルおよび光ルミネセンス(PL)分光法を用いて研究した。XRDと制限視野回折の結果は,全てのGdドープZnO膜は高度に(002)優先配向の六方晶ウルツ鉱型構造を有することを示した。SEM画像は,ZnOナノワイヤ/膜構造は低Gd含有量または純粋なZnOと成長させ,膜の結晶サイズは,Gdドーピングと共に減少したことを明らかにした。XPSの結果は,Gdイオンは原子価状態であることを確認した。PL分光法は,Gdドーピングに起因する欠陥濃度の増加に起因する大きな増高した深い準位発光を示した。1.6at.%Gdの臨界ドーピング濃度では,深準位発光と近バンド端発光の比は,純粋なZnOと比較してほぼ五倍に増加した。膜の光触媒活性を,UV光下の水溶液中のメチレンブルーの分解により評価した。光触媒の結果から,0.7at.%GdドープZnOナノワイヤ/膜構造は最高の光触媒活性を示したことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  ナノ構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  *形態 ,  制限視野回折 ,  *ガドリニウム ,  X線光電子分光法 ,  *光ルミネセンス ,  X線回折 ,  *ドーピング ,  *光触媒 ,  発光 ,  透過型電子顕微鏡 ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族アミン ,  スルホニウム ,  硫黄複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  第三アミン
準シソーラス用語： 光触媒活性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化亜鉛 ,  ガドリニウムドーピング ,  ナノ構造 ,  光ルミネセンス ,  展望 ,  マグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： メチレンブルー

タイトルに関連する用語 (6件)： Gd ,  ドープ ,  ZnO ,  形態 ,  光ルミネセンス ,  触媒特性