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J-GLOBAL ID：201702276451541973   整理番号：17A1376503

グラフェン/遷移金属ジカルコゲナイドヘテロ構造におけるスピンHall効果及び弱い反局在

Spin Hall Effect and Weak Antilocalization in Graphene/Transition Metal Dichalcogenide Heterostructures

著者 (4件)： GARCIA Jose H. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  CUMMINGS Aron W. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  ROCHE Stephan (CSIC, Barcelona, ESP) ,  ROCHE Stephan (ICREA - Institutetucio Catalana de Recerca i Estudis Avancats, Barcelona, ESP)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 8  ページ： 5078-5083  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initio計算からパラメータ化したハミルトニアンに,電子-正孔パドルのポテンシャルのランダム分布で乱れを表現した強束縛モデルにおいて,グラフェン/TMDCヘテロ構造のスピンHall効果(SHE)による伝導率と散逸伝導率を実空間のKubo-Bastin,と-Greenwoodの式により厳密に計算した。このヘテロ構造からのSHE信号観測の最大化のための実験条件の範囲を乱れの強度の変化により確定した。乱れによる散乱がバレイ内の過程に限られるとき,MoS₂,WSe₂,又はMoSe₂に比較して最大のSHE信号はWS₂上のグラフェンで得られた。対照的に,バレイ間の強い散乱の存在はSHEの性能指数の大きな減少(SHE信号の消失)を齎す。この結果は,弱い反局在(WAL)効果はグラフェンのプロキシミティ誘起スピン軌道結合の探索に有用であるが,強いWAL効果は十分な大きさのSHE信号の存在を排除することを示す。従って,グラフェン/TMDCヘテロ構造における固有SHEの最大化には,最高の界面品質を要するだろう。

シソーラス用語： *Hall効果 ,  スピン-軌道相互作用 ,  *局在状態 ,  グラフェン ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  *乱れ ,  ab initio法 ,  強束縛近似 ,  モデリング ,  *輸送現象 ,  空間 ,  タングステン化合物 ,  多硫化物 ,  硫化モリブデン ,  セレン化物 ,  モリブデン化合物
準シソーラス用語： *スピンHall効果 ,  セレン化タングステン ,  セレン化モリブデン ,  二硫化タングステン ,  二硫化モリブデン ,  ヘテロ構造 ,  実空間 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  *反局在 ,  *量子輸送

分類 (4件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  硫黄とその化合物  (YB02020L) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  ヘテロ構造 ,  スピンHall効果 ,  反局在