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J-GLOBAL ID：201702276464346660   整理番号：17A1637469

狭い窓をもつLDMOS_SCRの設計と解析【Powered by NICT】

Design and analysis of LDMOS_SCR with narrow windows

著者 (4件)： Jin Xiang-Liang (Faculty of Physics and Optoelectronic Engineering, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China) ,  Zheng Yi-Fei (Faculty of Physics and Optoelectronic Engineering, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China) ,  Wang Yang (Faculty of Physics and Optoelectronic Engineering, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China) ,  Zhou Zi-Jie (Faculty of Physics and Optoelectronic Engineering, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LDPMOS構造(NonLDPMOS_SCR)なしで改善されたLDPMOS_SCRを議論し,これは0.5μm5V/18V/24V CDMOSプロセスで実現した。理論解析と伝送線路パルス(TLP)試験システムを提案したESD保護デバイスを予測し,特性化した。測定結果によれば,正常なLDPMOS_SCRと比較して,NonLDPMOS_SCRは3.87Aから4.64Aまで二破壊電流(It2)を上昇させ,素子面積を拡大せずに33Vから21.4Vまでトリガー電圧(Vh)を減少させた。さらに,保持電圧へのD2及びD3(Fig.1(c)で示されるように)の大きさの影響を検討した。テンションレグプラットホーム(TLP)の結果は,D2の幅を添加することにより,保持電圧は11.7Vから14.79Vに増加することを確認した。D3の幅を添加することにより,保持電圧は11.7Vから15.9Vまで増加した。は提案したデバイスにおけるD3の幅の増加保持電圧の増加でより効果的であることを証明した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 伝送線路 ,  *電圧 ,  テンションレグプラットフォーム ,  電流 ,  パルス ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ESD保護 ,  理論解析 ,  *LDMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 海洋掘さく  (UA09030M) ,  海洋施設  (RC14020A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窓 ,  設計 ,  解析