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J-GLOBAL ID：201702276522696574   整理番号：17A1019994

MOCVDにより成長させたInGaN/GaNヘテロ構造に及ぼす成長温度の影響【Powered by NICT】

Effect of growth temperature on InGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD

著者 (7件)： Surender S. (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600025, India) ,  Prabakaran K. (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600025, India) ,  Loganathan R. (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600025, India) ,  Pradeep S. (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600025, India) ,  Singh Shubra (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600025, India) ,  Baskar K. (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600025, India) ,  Baskar K. (Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli 627012, India)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 249-251  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaNヘテロ構造試料は水平流有機金属化学蒸着(MOCVD)反応器を用いてc面サファイア基板上に680°Cから760°Cの間の種々の温度で成長させた。構造的,光学的,形態学的および電気的性質の系統的研究は,それぞれ高分解能X線回折(HRXRD),光ルミネセンス(PL),原子間力顕微鏡(A FM)およびHall測定を用いて行った。HRXRDの結果から,InGaN/GaNヘテロ構造におけるそれぞれのインジウム(In)組成はInGaN(0002)ピークを用いて計算できる。取り込みはInGaNエピ層中のInの温度と取込に極めて高感度では成長温度の増加に伴って減少することが分かった。PLスペクトルは反応器温度とIn取り込みのために高エネルギー側へのシフトを明らかにした。680°Cで成長した試料のA FM画像は,組成の不均一性に因るInリッチクラスタを示した。成長温度をさらに増加すると,InNの分解が始まり,従って表面粗さを減少させた。H all効果研究は成長温度の増大と共にInGaN薄膜のバルク電子濃度は減少と移動度が増加することを確認した。~4.5×10~19cm~ 3の最大バルク電子濃度と~295cm~2/Vの移動度はInの19%で得られた。光起電力応用のためのInGaN/GaNヘテロ構造におけるIn含有量の取込を最適化するために行われている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  インジウム ,  *MOCVD ,  原子間力顕微鏡 ,  移動度 ,  モルフォロジー ,  *窒化ガリウム ,  光起電力 ,  電気的性質 ,  薄膜 ,  最適化
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *成長温度 ,  *ヘテロ構造 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A3MOCVD ,  A1HRXRD ,  A1A FM ,  A1偏析

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  成長 ,  InGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  成長温度