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J-GLOBAL ID：201702276680053899   整理番号：17A1774425

高周波準Zソースインバータのための低容量インダクタに関する研究【Powered by NICT】

Study on low-capacitance inductors for a high-frequency Quasi-Z-source inverter

著者 (3件)： Wolski Kornel (Warsaw University of Technology - Institute of Control and Industrial Electronics, Koszykowa 75, 00-662, Warsaw, Poland) ,  Rabkowski Jacek (Warsaw University of Technology - Institute of Control and Industrial Electronics, Koszykowa 75, 00-662, Warsaw, Poland) ,  Zdanowski Mariusz (Warsaw University of Technology - Institute of Control and Industrial Electronics, Koszykowa 75, 00-662, Warsaw, Poland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.10  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーデバイスはインピーダンス源コンバータの性能を改善する良い機会を提供する;が,新たな課題が満たさなければならない。高周波疑似Zソースインバータのインダクタの寄生容量に起因して生じる現象に関する研究を提示した。新しい高速スイッチングSiC MOSFETとSchottkyダイオードによる電圧値の急速な変化は,この問題が重要になる。入力電流の品質及び半導体スイッチング損失の量に及ぼす寄生容量の負の影響は100kHz/6kVAモデルと正確なSaberスケッチシミュレーションと実験室実験により確認された。,単離および巻線技術の手段による寄生容量値を最小化する簡単な方法を検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高速度 ,  インピーダンス ,  MOSFET ,  半導体 ,  変換器 ,  スイッチング ,  炭化ケイ素 ,  巻線 ,  Schottky障壁ダイオード ,  スイッチング損失 ,  *HF【周波数】 ,  電圧 ,  漂遊容量
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *Zソースインバータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波 ,  Zソースインバータ ,  インダクタ ,  研究