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J-GLOBAL ID：201702276747804049   整理番号：17A1637405

Ti電極を用いたRRAMの抵抗比に及ぼすHfAlO組成の影響【Powered by NICT】

Influence of HfAlO composition on resistance ratio of RRAM with Ti electrode

著者 (7件)： Qi Yanfei (School of Electronic and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Fang Yuxiao (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, UK) ,  Zhao Chun (Department of Electrical and Electronic Engineering, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China) ,  Lu Qifeng (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, UK) ,  Liu Chenguang (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, UK) ,  Yang Li (Department of Chemistry, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China) ,  Zhao Ce Zhou (School of Electronic and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるHfO2割合(0%,10%,90%および100%)の四HfAlOベース抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子を,原子層堆積(A LD)を用いて作製した。三種類の電鋳プロセスは1mAの電流コンプライアンス(CC)で観察された,初期高抵抗状態(HRS),初期培地抵抗状態(MRS)および初期の低抵抗状態(LRS)を含む。の抵抗比(HRS/LRS)変調はHfO_2:Al_2O_3のA LD蒸着サイクル比を制御することによって達成した。抵抗比は5mAコンプライアンス条件下で混合HfO_2とAl_2O_3により改善された。これは,部分的に相互混合HfO_2とAl_2O_3は酸化物マトリックスを安定化し,結晶化を抑制することを事実に帰すことができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チタン ,  酸化ハフニウム ,  酸化物 ,  蒸着 ,  コンプライアンス ,  電鋳 ,  電流 ,  結晶化
準シソーラス用語： 相互混合 ,  ALCVD ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ti ,  RRAM ,  組成