Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub>薄膜太陽電池のバッファ層としてのCdS半導体の制作と光学的性質の研究

ESMAEILI-ZARE Mahdiyeh; BEHPOUR Mohsen

文献

J-GLOBAL ID：201702276762130382 整理番号：17A0950682

Cu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池のバッファ層としてのCdS半導体の制作と光学的性質の研究

Fabrication and study of optical properties on CdS semiconductor as buffer layer for Cu(In,Ga)Se₂ thin film solar cells

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資料名：
巻： 28 号： 14 ページ： 10173-10183 発行年： 2017年07月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

CdS薄膜を,プリカーサとして酢酸カドミウム2水和物とCd(II)-サロフェンを使って化学浴デポジションと電着法で制作した。製作した膜の構造,モルフォロジ,化学組成,光学的性質に与えるプリカーサの種類やデポジション時間の効果を調べた。デポジットされた膜は六方晶構造で(111)に優先配向している。プリカーサとしてCd(II)-サロフェンを使うと,デポジション速度は減少しグレインサイズは小さくなる。プリカーサにCd(II)-サロフェンを使った電着法でサイズが30~60nmのCdSナノ粒子が制作できた。電着法で制作したCIGS太陽電池の電流電圧特性を測定した。CIGS太陽電池でFTO表面にCdSをデポジットする方法として電着法が最も良いことが分かった。プリカーサとしてCd(II)-サロフェンを使ったCdSによるn-CdS/p-CIGS太陽電池の効率は0.01%(FF=27%)である。

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固体デバイス材料

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