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J-GLOBAL ID：201702276791223469   整理番号：17A1488506

多電流モード制御のための新しいトリ独立ゲートFinFET【Powered by NICT】

Novel tri-independent-gate FinFET for multi-current modes control

著者 (5件)： Liu Chengsheng (Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Zheng Fanglin (Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Sun Yabin (Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Li Xiaojin (Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Shi Yanling (Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 374-381  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しいトリ独立ゲート(TIG)FinFETを初めて熱モード制御を提示した。提案したTIG FinFETの全集積化の流れが主流ゲートファーストHKMG FinFETプロセスと完全にコンパチブルである。状態モードとしきい値電圧の五種類の付加的電圧源なしTIG FinFETによって提供されることができ,それは,動的電圧SRAM設計において大きな可能性を有することを実証した。異なるモードにおけるTIG FinFETの重要な電気的パラメータは完全にTCADシミュレーションと従来のFinFETと比較した。二重フィンによるTIG FinFETは単一フィンFinFETを用いた異なる異なる出力と静電容量特性を有することが分かった。基礎となる物理的機構を解析し,詳細に検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電流 ,  *電圧 ,  フィン ,  SRAM ,  静電容量
準シソーラス用語： TCAD ,  閾値電圧 ,  *FinFET ,  モード制御 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： トリ独立ゲート ,  FinFET ,  しきい値電圧 ,  TCAD

分類 (1件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電流モード ,  トリ ,  ゲート ,  FinFET