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J-GLOBAL ID：201702276879329975   整理番号：17A0665805

単一Fe原子の吸収によるGaSe単分子層の磁気的改質【Powered by NICT】

Magnetic modification of GaSe monolayer by absorption of single Fe atom

著者 (10件)： Lu Yihong (Fujian Provincial Key Laboratory of Semiconductors and Applications, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Ke Congming ,  Fu Mingming ,  Lin Wei ,  Zhang Chunmiao ,  Chen Ting ,  Li Heng ,  Kang Junyong ,  Wu Zhiming ,  Wu Yaping
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 8  ページ： 4285-4290  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グループ IIIA金属モノカルコゲン化物は,それらのオプトエレクトロニクスおよびスピン電子特性のために益々関心を集めている。磁性の改質を達成が素子応用のための望ましい。本研究では,Fe吸着したGaSe単分子層の構造,電子的,および磁気的性質を,密度汎関数理論(DFT)を用いて系統的に研究した。Feと隣接GaおよびSe原子の間の強い軌道結合効果,100%スピン分極した半金属性をもたらしていることが分かった。最近接GaおよびSe原子の磁気モーメントは 0.004μ_Bと 0.178μ_Bそれぞれ吸着したFe原子と反強磁性結合を示した。一方,誘導された多数および少数スピン状態を別々にSeとGa原子に分布する傾向がある。Fe-3d,Se4p,とGa4pの軌道のハイブリダイゼーションは非磁性GaSe単分子層中に誘起された磁気モーメントとスピン分極の原因である。これらの研究は,強磁性体/GaSe吸着系の電子的および磁気的性質理解に光,二次元スピンナノ構造の設計と施工のためのいくつかの参考文献を提供することを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  金属 ,  磁気モーメント ,  *鉄 ,  *単分子層 ,  *セレン ,  カルコゲン化物 ,  ナノ構造 ,  吸着 ,  スピン分極 ,  *磁気 ,  強磁性体 ,  磁性 ,  *ガリウム
準シソーラス用語： *GaSe , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Fe ,  原子 ,  GaSe ,  単分子層 ,  磁気 ,  改質